一种ZnO单晶纳米管阵列的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510751551.6

申请日：

2015-11-06

公开(公告)号：

CN105220229B

公开(公告)日：

2016-01-06

发明(设计)人：

孟祥敏王磊黄兴夏静

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村东路29号

IPC主分类号：

C30B2916

IPC分类号：

C30B2300 B82Y4000

代理机构：

北京正理专利代理有限公司 11257

代理人：

张文祎;赵晓丹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-06	公开	公开
2016-02-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101644503609 IPC(主分类):C30B 29/16 专利申请号:2015107515516 申请日:20151106
2018-08-24	授权	授权

共 50 条

[1]

一维ZnO/ZnS核壳结构纳米阵列以及单晶ZnS纳米管阵列的制备方法 [P].

孟祥敏 ;

黄兴 .

中国专利 :CN102104079B ,2011-06-22

[2]

纳米管阵列制备方法、纳米管阵列及器件 [P].

金传洪 ;

汪博 ;

任锡标 ;

张志勇 .

中国专利 :CN119284827B ,2025-07-08

[3]

纳米管阵列制备方法、纳米管阵列及器件 [P].

金传洪 ;

汪博 ;

任锡标 ;

张志勇 .

中国专利 :CN119284827A ,2025-01-10

[4]

一种制备氮化铝纳米管阵列的方法 [P].

吴志国 ;

季旭 ;

胡海蓉 ;

张伟博 ;

闫鹏勋 .

中国专利 :CN104016315A ,2014-09-03

[5]

制备CdS/ZnO纳米管阵列光电极的方法 [P].

师文生 ;

齐小鹏 ;

佘广为 .

中国专利 :CN102220615B ,2011-10-19

[6]

分枝可控的二氧化钛纳米管阵列薄膜及其制备方法 [P].

金震 ;

费广涛 ;

胡小晔 ;

许少辉 .

中国专利 :CN101660189B ,2010-03-03

[7]

一种ZnO纳米管阵列的生长方法 [P].

郑佳红 ;

牛世峰 ;

管科杰 .

中国专利 :CN105018918A ,2015-11-04

[8]

一种钛酸钡纳米管阵列的制备方法 [P].

陈智慧 ;

李志伟 ;

杨亚 ;

邱建华 ;

丁建宁 ;

袁宁一 .

中国专利 :CN106390975B ,2017-02-15

[9]

一种制备锗纳米管阵列的方法 [P].

师文生 ;

凌世婷 ;

佘广为 .

中国专利 :CN101724904A ,2010-06-09

[10]

SnO2纳米管阵列的低温化学气相沉积制备方法 [P].

杨合情 ;

李小博 ;

申琼 ;

王学文 .

中国专利 :CN102910833A ,2013-02-06

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