制备CdS/ZnO纳米管阵列光电极的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110124857.0

申请日：

2011-05-13

公开(公告)号：

CN102220615B

公开(公告)日：

2011-10-19

发明(设计)人：

师文生齐小鹏佘广为

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村北一条2号

IPC主分类号：

C25D904

IPC分类号：

代理机构：

上海智信专利代理有限公司 31002

代理人：

李柏

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-08-15	授权	授权
2011-10-19	公开	公开
2011-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101145710307 IPC(主分类):C25D 9/04 专利申请号:2011101248570 申请日:20110513

共 50 条

[1]

二氧化钛纳米管阵列光电极的制备方法 [P].

辛言君 ;

刘永萍 ;

马东 ;

张娇 .

中国专利 :CN103361689B ,2013-10-23

[2]

纳米管阵列复合电极的制备方法、纳米管阵列复合电极和应用 [P].

余楠 ;

刘欣 ;

刘情情 ;

胡佳悦 .

中国专利 :CN120384304A ,2025-07-29

[3]

TiO2纳米管阵列工作电极的制备方法 [P].

王尚华 ;

林原 ;

周晓文 ;

张敬波 ;

肖绪瑞 .

中国专利 :CN102768904A ,2012-11-07

[4]

纳米管阵列制备方法、纳米管阵列及器件 [P].

金传洪 ;

汪博 ;

任锡标 ;

张志勇 .

中国专利 :CN119284827B ,2025-07-08

[5]

纳米管阵列制备方法、纳米管阵列及器件 [P].

金传洪 ;

汪博 ;

任锡标 ;

张志勇 .

中国专利 :CN119284827A ,2025-01-10

[6]

一种ZnO单晶纳米管阵列的制备方法 [P].

孟祥敏 ;

王磊 ;

黄兴 ;

夏静 .

中国专利 :CN105220229B ,2016-01-06

[7]

一种ZnO纳米管阵列的生长方法 [P].

郑佳红 ;

牛世峰 ;

管科杰 .

中国专利 :CN105018918A ,2015-11-04

[8]

一种制备锗纳米管阵列的方法 [P].

师文生 ;

凌世婷 ;

佘广为 .

中国专利 :CN101724904A ,2010-06-09

[9]

一种石墨型氮化碳纳米管阵列光电极、其制备方法及用途 [P].

向琴 ;

张凯 ;

宫建茹 .

中国专利 :CN106978595A ,2017-07-25

[10]

ZnO/CdS/CuS纳米阵列复合材料的制备方法 [P].

刘志华 ;

张晶 .

中国专利 :CN106391055A ,2017-02-15

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