一种具有超低烧结温度的微波介电陶瓷及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111132856.0

申请日：

2021-09-27

公开(公告)号：

CN113666745A

公开(公告)日：

2021-11-19

发明(设计)人：

李纯纯曹雪凤尹长志李云翠

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市七星区建干路桂林理工大学

IPC主分类号：

C04B35495

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562

代理人：

程小芳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-19	公开	公开
2021-12-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/495 申请日:20210927

共 50 条

[1]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

方亮 ;

方清 ;

孙宜华 .

中国专利 :CN104311023B ,2015-01-28

[2]

超低温烧结的微波介电陶瓷Li3V2PO9及其制备方法 [P].

方亮 ;

郭欢欢 ;

唐莹 .

中国专利 :CN103951413A ,2014-07-30

[3]

一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

方亮 ;

李威 ;

孙宜华 .

中国专利 :CN104311030B ,2015-01-28

[4]

一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

方维双 ;

李纯纯 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104311020A ,2015-01-28

[5]

一种温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

徐军古 ;

巩美露 .

中国专利 :CN104311019B ,2015-01-28

[6]

一种超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

王全超 ;

覃杏柳 .

中国专利 :CN104311021B ,2015-01-28

[7]

一种超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

覃杏柳 ;

孙振 .

中国专利 :CN104311018B ,2015-01-28

[8]

一种具有超低烧结温度的低介电常数微波介电陶瓷LiMoVO6 [P].

李纯纯 ;

王丹 ;

苏聪学 ;

方亮 ;

杨光杰 .

中国专利 :CN106220171A ,2016-12-14

[9]

超低温烧结的微波介电陶瓷Li3Nb3B2O12及其制备方法 [P].

方亮 ;

郭欢欢 ;

唐莹 .

中国专利 :CN103880422B ,2014-06-25

[10]

超低温烧结的微波介电陶瓷Li3V3Bi2O12及其制备方法 [P].

方亮 ;

郭欢欢 ;

唐莹 .

中国专利 :CN103922723A ,2014-07-16

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