低压齐纳二极管新型结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200920175501.8

申请日：

2009-08-21

公开(公告)号：

CN201440419U

公开(公告)日：

2010-04-21

发明(设计)人：

陈永利

申请人：

申请人地址：

122000 辽宁省朝阳市双塔区新华路二段75号

IPC主分类号：

H01L29866

IPC分类号：

H01L2936

代理机构：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-04-21	授权	授权
2016-10-26	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101685081606 IPC(主分类):H01L 29/866 专利号:ZL2009201755018 申请日:20090821 授权公告日:20100421 终止日期:20150821

共 50 条

[1]

低压齐纳二极管的制作方法 [P].

侯宇 .

中国专利 :CN1728348A ,2006-02-01

[2]

齐纳二极管 [P].

王春来 ;

操小莉 .

中国专利 :CN204516773U ,2015-07-29

[3]

一种可降低反向漏电流的低压齐纳二极管器件 [P].

韦树恒 ;

焦军胜 ;

李炘 .

中国专利 :CN222509866U ,2025-02-18

[4]

齐纳二极管 [P].

索米特拉·拉杰·梅赫罗特拉 ;

程序 ;

祝荣华 .

:CN120980897A ,2025-11-18

[5]

齐纳二极管和电路 [P].

R·西莫拉 ;

P·弗纳拉 .

中国专利 :CN205177856U ,2016-04-20

[6]

齐纳二极管 [P].

藤井秀纪 .

中国专利 :CN1901233A ,2007-01-24

[7]

齐纳二极管 [P].

江口博臣 ;

金原啓道 ;

大川峰司 ;

池田智史 .

中国专利 :CN105684156B ,2016-06-15

[8]

齐纳二极管的制备方法及齐纳二极管 [P].

孙玉红 .

中国专利 :CN109148563A ,2019-01-04

[9]

齐纳二极管的制备方法和齐纳二极管 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN106169423A ,2016-11-30

[10]

齐纳二极管与电路 [P].

R·西莫拉 ;

P·弗纳拉 .

中国专利 :CN205159337U ,2016-04-13

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