齐纳二极管

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510506446.X
申请日
2025-04-22
公开(公告)号
CN120980897A
公开(公告)日
2025-11-18
发明(设计)人
索米特拉·拉杰·梅赫罗特拉 程序 祝荣华
申请人
恩智浦有限公司
申请人地址
荷兰
IPC主分类号
H10D8/25
IPC分类号
H10D8/01 H10D62/10
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
孙尚白;潘剑颖
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
齐纳二极管 [P]. 
王春来 ;
操小莉 .
中国专利 :CN204516773U ,2015-07-29
[2]
齐纳二极管 [P]. 
藤井秀纪 .
中国专利 :CN1901233A ,2007-01-24
[3]
齐纳二极管 [P]. 
江口博臣 ;
金原啓道 ;
大川峰司 ;
池田智史 .
中国专利 :CN105684156B ,2016-06-15
[4]
齐纳二极管的制备方法及齐纳二极管 [P]. 
孙玉红 .
中国专利 :CN109148563A ,2019-01-04
[5]
齐纳二极管的制备方法和齐纳二极管 [P]. 
杜蕾 .
中国专利 :CN106169423A ,2016-11-30
[6]
齐纳二极管与电路 [P]. 
R·西莫拉 ;
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中国专利 :CN205159337U ,2016-04-13
[7]
齐纳二极管和电路 [P]. 
R·西莫拉 ;
P·弗纳拉 .
中国专利 :CN205177856U ,2016-04-20
[8]
散热式齐纳二极管 [P]. 
叶致廷 ;
黄菘志 ;
庄哲豪 .
中国专利 :CN109599442B ,2019-04-09
[9]
芯片二极管以及双向齐纳二极管芯片 [P]. 
山本浩贵 .
中国专利 :CN107946270B ,2018-04-20
[10]
有机薄膜齐纳二极管 [P]. 
R·P·金斯博鲁 ;
I·索科利克 .
中国专利 :CN1703787A ,2005-11-30