散热式齐纳二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811101923.0

申请日：

2018-09-20

公开(公告)号：

CN109599442B

公开(公告)日：

2019-04-09

发明(设计)人：

叶致廷黄菘志庄哲豪

申请人：

申请人地址：

中国台湾新北市

IPC主分类号：

H01L29866

IPC分类号：

H01L2906 H01L23367

代理机构：

北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139

代理人：

孙皓晨;侯奇慧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/866 申请日:20180920
2021-11-23	授权	授权
2019-04-09	公开	公开

共 50 条

[1]

齐纳二极管 [P].

王春来 ;

操小莉 .

中国专利 :CN204516773U ,2015-07-29

[2]

齐纳二极管 [P].

索米特拉·拉杰·梅赫罗特拉 ;

程序 ;

祝荣华 .

:CN120980897A ,2025-11-18

[3]

齐纳二极管 [P].

藤井秀纪 .

中国专利 :CN1901233A ,2007-01-24

[4]

齐纳二极管 [P].

江口博臣 ;

金原啓道 ;

大川峰司 ;

池田智史 .

中国专利 :CN105684156B ,2016-06-15

[5]

齐纳二极管的制备方法及齐纳二极管 [P].

孙玉红 .

中国专利 :CN109148563A ,2019-01-04

[6]

齐纳二极管的制备方法和齐纳二极管 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN106169423A ,2016-11-30

[7]

齐纳二极管与电路 [P].

R·西莫拉 ;

P·弗纳拉 .

中国专利 :CN205159337U ,2016-04-13

[8]

齐纳二极管和电路 [P].

R·西莫拉 ;

P·弗纳拉 .

中国专利 :CN205177856U ,2016-04-20

[9]

芯片二极管以及双向齐纳二极管芯片 [P].

山本浩贵 .

中国专利 :CN107946270B ,2018-04-20

[10]

有机薄膜齐纳二极管 [P].

R·P·金斯博鲁 ;

I·索科利克 .

中国专利 :CN1703787A ,2005-11-30

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