有机薄膜齐纳二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03821987.5

申请日：

2003-09-08

公开(公告)号：

CN1703787A

公开(公告)日：

2005-11-30

发明(设计)人：

R·P·金斯博鲁 I·索科利克

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L5120

IPC分类号：

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

戈泊;程伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-01-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-09-01	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101007188584 IPC(主分类):H01L 51/20 专利申请号:038219875 变更事项:申请人变更前权利人:先进微装置公司变更后权利人:格罗方德半导体公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:英属开曼群岛大开曼岛登记生效日:20100722
2012-03-21	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101303547228 IPC(主分类):H01L 51/20 专利申请号:038219875 公开日:20051130
2005-11-30	公开	公开

共 50 条

[1]

齐纳二极管 [P].

王春来 ;

操小莉 .

中国专利 :CN204516773U ,2015-07-29

[2]

齐纳二极管 [P].

索米特拉·拉杰·梅赫罗特拉 ;

程序 ;

祝荣华 .

:CN120980897A ,2025-11-18

[3]

齐纳二极管 [P].

藤井秀纪 .

中国专利 :CN1901233A ,2007-01-24

[4]

齐纳二极管 [P].

江口博臣 ;

金原啓道 ;

大川峰司 ;

池田智史 .

中国专利 :CN105684156B ,2016-06-15

[5]

齐纳二极管的制备方法及齐纳二极管 [P].

孙玉红 .

中国专利 :CN109148563A ,2019-01-04

[6]

齐纳二极管的制备方法和齐纳二极管 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN106169423A ,2016-11-30

[7]

有机齐纳二极管、电子电路以及用于运行有机齐纳二极管的方法 [P].

弗兰克·林德纳 ;

比约恩·吕塞姆 ;

原田健太郎 ;

卡尔·利奥 .

中国专利 :CN102388475B ,2012-03-21

[8]

齐纳二极管与电路 [P].

R·西莫拉 ;

P·弗纳拉 .

中国专利 :CN205159337U ,2016-04-13

[9]

齐纳二极管和电路 [P].

R·西莫拉 ;

P·弗纳拉 .

中国专利 :CN205177856U ,2016-04-20

[10]

散热式齐纳二极管 [P].

叶致廷 ;

黄菘志 ;

庄哲豪 .

中国专利 :CN109599442B ,2019-04-09

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