有机薄膜齐纳二极管

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专利类型
发明
申请号
CN03821987.5
申请日
2003-09-08
公开(公告)号
CN1703787A
公开(公告)日
2005-11-30
发明(设计)人
R·P·金斯博鲁 I·索科利克
申请人
申请人地址
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
H01L5120
IPC分类号
代理机构
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人
戈泊;程伟
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[21]
齐纳二极管的制作方法 [P]. 
林威 ;
杨红 .
中国专利 :CN112768355A ,2021-05-07
[22]
低压齐纳二极管新型结构 [P]. 
陈永利 .
中国专利 :CN201440419U ,2010-04-21
[23]
齐纳二极管的制作方法 [P]. 
林威 ;
杨红 .
中国专利 :CN112768355B ,2024-03-15
[24]
具有齐纳二极管的功率元件 [P]. 
徐信佑 .
中国专利 :CN113707653B ,2025-09-30
[25]
具有齐纳二极管的功率元件 [P]. 
徐信佑 .
中国专利 :CN113707653A ,2021-11-26
[26]
一种新型多晶硅薄膜齐纳二极管 [P]. 
何志 .
中国专利 :CN206225366U ,2017-06-06
[27]
基于齐纳二极管的电压基准电路 [P]. 
钱焯文 ;
陆云 .
中国专利 :CN119739250A ,2025-04-01
[28]
优化齐纳二极管偏置电流的电路 [P]. 
廖志辉 .
中国专利 :CN1578139A ,2005-02-09
[29]
自对准形成齐纳二极管的方法 [P]. 
钱文生 ;
吕赵鸿 .
中国专利 :CN101752247B ,2010-06-23
[30]
基于齐纳二极管的电压基准电路 [P]. 
钱焯文 ;
陆云 .
中国专利 :CN119739250B ,2025-11-28