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齐纳二极管的制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201911073791.X
申请日：
2019-11-06
公开(公告)号：
CN112768355B
公开(公告)日：
2024-03-15
发明(设计)人：
林威
杨红
申请人：
上海积塔半导体有限公司
申请人地址：
201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区云水路600号
IPC主分类号：
H01L21/329
IPC分类号：
H01L21/265
H01L29/866
代理机构：
上海弼兴律师事务所 31283
代理人：
薛琦;张冉
法律状态：
授权
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-03-15 | 授权 | 授权 |