有机薄膜齐纳二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03821987.5

申请日：

2003-09-08

公开(公告)号：

CN1703787A

公开(公告)日：

2005-11-30

发明(设计)人：

R·P·金斯博鲁 I·索科利克

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L5120

IPC分类号：

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

戈泊;程伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-01-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-09-01	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101007188584 IPC(主分类):H01L 51/20 专利申请号:038219875 变更事项:申请人变更前权利人:先进微装置公司变更后权利人:格罗方德半导体公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:英属开曼群岛大开曼岛登记生效日:20100722
2012-03-21	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101303547228 IPC(主分类):H01L 51/20 专利申请号:038219875 公开日:20051130
2005-11-30	公开	公开

共 50 条

[41]

有机发光二极管 [P].

车龙范 ;

张焚在 ;

洪性佶 ;

徐尚德 .

中国专利 :CN111247650A ,2020-06-05

[42]

有机发光二极管 [P].

李成宰 ;

洪性佶 ;

车龙范 ;

曹宇珍 ;

尹胄镛 ;

文贤真 .

中国专利 :CN113016088A ,2021-06-22

[43]

有机发光二极管 [P].

T.韦卢斯 ;

C.迪茨 ;

S.赛德尔 ;

U.尼德迈尔 ;

A.耶格 ;

N.里格尔 .

中国专利 :CN104115299A ,2014-10-22

[44]

有机发光二极管 [P].

李成宰 ;

洪性佶 ;

车龙范 ;

曹宇珍 ;

尹胄镛 ;

文贤真 .

韩国专利 :CN113016088B ,2025-01-28

[45]

有机发光二极管 [P].

许瀞午 ;

洪性佶 ;

韩美连 ;

李在卓 .

韩国专利 :CN112136224B ,2024-08-02

[46]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

廖庭维 ;

陈建馀 ;

游焜煌 ;

翁武得 ;

邱建维 ;

杨大勇 .

中国专利 :CN114784118A ,2022-07-22

[47]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

田甜 ;

刘冬华 ;

许昭昭 .

中国专利 :CN120812962A ,2025-10-17

[48]

齐纳二极管与雪崩二极管的反向击穿电压测试仪 [P].

周宝善 ;

李博 .

中国专利 :CN213581234U ,2021-06-29

[49]

BCD工艺集成齐纳二极管的制造方法 [P].

何兴月 ;

张晗 ;

金锋 .

中国专利 :CN118248634A ,2024-06-25

[50]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

仲志华 .

中国专利 :CN103165659A ,2013-06-19

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