齐纳二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510779539.X

申请日：

2025-06-11

公开(公告)号：

CN120812962A

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

田甜刘冬华许昭昭

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H10D8/25

IPC分类号：

H10D8/01 H10D62/10 H10D62/00

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	公开	公开
2025-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 8/25申请日:20250611

共 50 条

[1]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

韩广涛 .

中国专利 :CN112002767B ,2020-11-27

[2]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

韩广涛 ;

蒋盛烽 .

中国专利 :CN111710729B ,2020-09-25

[3]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

钱文生 ;

吕赵鸿 .

中国专利 :CN101452966A ,2009-06-10

[4]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

廖庭维 ;

陈建馀 ;

游焜煌 ;

翁武得 ;

邱建维 ;

杨大勇 .

中国专利 :CN114784118A ,2022-07-22

[5]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

仲志华 .

中国专利 :CN103165659A ,2013-06-19

[6]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

金根扈 ;

李承烨 .

中国专利 :CN100466202C ,2005-12-14

[7]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

吴孝嘉 ;

罗泽煌 ;

孙贵鹏 .

中国专利 :CN102088037A ,2011-06-08

[8]

齐纳二极管及其制造和封装方法 [P].

宋基彰 ;

金根扈 .

中国专利 :CN1812059A ,2006-08-02

[9]

一种齐纳二极管及其制造方法 [P].

潘光燃 ;

张立荣 .

中国专利 :CN102280495A ,2011-12-14

[10]

一种齐纳二极管及其制造方法 [P].

殷登平 ;

赵豹 ;

王世军 ;

姚飞 .

中国专利 :CN108198849A ,2018-06-22

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