齐纳二极管及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010737847.3
申请日
2020-07-28
公开(公告)号
CN111710729B
公开(公告)日
2020-09-25
发明(设计)人
韩广涛 蒋盛烽
申请人
申请人地址
310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室
IPC主分类号
H01L29866
IPC分类号
H01L2906 H01L21329
代理机构
北京成创同维知识产权代理有限公司 11449
代理人
蔡纯;李镇江
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
齐纳二极管及其制造方法 [P]. 
仲志华 .
中国专利 :CN103165659A ,2013-06-19
[2]
齐纳二极管及其制造方法 [P]. 
韩广涛 .
中国专利 :CN112002767B ,2020-11-27
[3]
齐纳二极管及其制造方法 [P]. 
钱文生 ;
吕赵鸿 .
中国专利 :CN101452966A ,2009-06-10
[4]
齐纳二极管及其制造方法 [P]. 
吴孝嘉 ;
罗泽煌 ;
孙贵鹏 .
中国专利 :CN102088037A ,2011-06-08
[5]
齐纳二极管及其制造方法 [P]. 
廖庭维 ;
陈建馀 ;
游焜煌 ;
翁武得 ;
邱建维 ;
杨大勇 .
中国专利 :CN114784118A ,2022-07-22
[6]
齐纳二极管及其制造方法 [P]. 
田甜 ;
刘冬华 ;
许昭昭 .
中国专利 :CN120812962A ,2025-10-17
[7]
齐纳二极管及其制造方法 [P]. 
金根扈 ;
李承烨 .
中国专利 :CN100466202C ,2005-12-14
[8]
一种齐纳二极管及其制造方法 [P]. 
殷登平 ;
赵豹 ;
王世军 ;
姚飞 .
中国专利 :CN108198849A ,2018-06-22
[9]
齐纳二极管及其制造和封装方法 [P]. 
宋基彰 ;
金根扈 .
中国专利 :CN1812059A ,2006-08-02
[10]
齐纳二极管及其制作方法 [P]. 
金华俊 ;
宋亮 ;
史一凡 .
中国专利 :CN115548129A ,2022-12-30