齐纳二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510075237.7

申请日：

2005-06-07

公开(公告)号：

CN100466202C

公开(公告)日：

2005-12-14

发明(设计)人：

金根扈李承烨

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L21328

IPC分类号：

H01L29866

代理机构：

北京金信立方知识产权代理有限公司

代理人：

南霆

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101736072980 IPC(主分类):H01L 21/328 专利号:ZL2005100752377 申请日:20050607 授权公告日:20090304 终止日期:20160607
2014-12-17	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101708603461 IPC(主分类):H01L 21/328 专利号:ZL2005100752377 变更事项:专利权人变更前权利人:LG电子有限公司变更后权利人:英迪股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国首尔变更后权利人:韩国首尔登记生效日:20141126
2006-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-12-14	公开	公开
2009-03-04	授权	授权

共 50 条

[1]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

韩广涛 .

中国专利 :CN112002767B ,2020-11-27

[2]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

韩广涛 ;

蒋盛烽 .

中国专利 :CN111710729B ,2020-09-25

[3]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

钱文生 ;

吕赵鸿 .

中国专利 :CN101452966A ,2009-06-10

[4]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

廖庭维 ;

陈建馀 ;

游焜煌 ;

翁武得 ;

邱建维 ;

杨大勇 .

中国专利 :CN114784118A ,2022-07-22

[5]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

田甜 ;

刘冬华 ;

许昭昭 .

中国专利 :CN120812962A ,2025-10-17

[6]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

仲志华 .

中国专利 :CN103165659A ,2013-06-19

[7]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

吴孝嘉 ;

罗泽煌 ;

孙贵鹏 .

中国专利 :CN102088037A ,2011-06-08

[8]

齐纳二极管及其制造和封装方法 [P].

宋基彰 ;

金根扈 .

中国专利 :CN1812059A ,2006-08-02

[9]

一种齐纳二极管及其制造方法 [P].

潘光燃 ;

张立荣 .

中国专利 :CN102280495A ,2011-12-14

[10]

一种齐纳二极管及其制造方法 [P].

殷登平 ;

赵豹 ;

王世军 ;

姚飞 .

中国专利 :CN108198849A ,2018-06-22

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