一种齐纳二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010203008.X

申请日：

2010-06-10

公开(公告)号：

CN102280495A

公开(公告)日：

2011-12-14

发明(设计)人：

潘光燃张立荣

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦

IPC主分类号：

H01L29866

IPC分类号：

H01L21329 H01L2936 H01L2122 H01L2128

代理机构：

北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311

代理人：

田明;任晓航

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-12-14	公开	公开
2012-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101177114177 IPC(主分类):H01L 29/866 专利申请号:201010203008X 申请日:20100610
2022-08-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/866 登记生效日:20220726 变更事项:专利权人变更前权利人:北大方正集团有限公司变更后权利人:深圳方正微电子有限公司变更事项:地址变更前权利人:100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦变更后权利人:518116 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园变更事项:专利权人变更前权利人:深圳方正微电子有限公司
2014-04-09	授权	授权

共 50 条

[1]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

廖庭维 ;

陈建馀 ;

游焜煌 ;

翁武得 ;

邱建维 ;

杨大勇 .

中国专利 :CN114784118A ,2022-07-22

[2]

一种齐纳二极管及其制造方法 [P].

殷登平 ;

赵豹 ;

王世军 ;

姚飞 .

中国专利 :CN108198849A ,2018-06-22

[3]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

韩广涛 .

中国专利 :CN112002767B ,2020-11-27

[4]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

韩广涛 ;

蒋盛烽 .

中国专利 :CN111710729B ,2020-09-25

[5]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

钱文生 ;

吕赵鸿 .

中国专利 :CN101452966A ,2009-06-10

[6]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

田甜 ;

刘冬华 ;

许昭昭 .

中国专利 :CN120812962A ,2025-10-17

[7]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

仲志华 .

中国专利 :CN103165659A ,2013-06-19

[8]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

金根扈 ;

李承烨 .

中国专利 :CN100466202C ,2005-12-14

[9]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

吴孝嘉 ;

罗泽煌 ;

孙贵鹏 .

中国专利 :CN102088037A ,2011-06-08

[10]

齐纳二极管及其制造和封装方法 [P].

宋基彰 ;

金根扈 .

中国专利 :CN1812059A ,2006-08-02

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