齐纳二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110407748.X

申请日：

2011-12-09

公开(公告)号：

CN103165659A

公开(公告)日：

2013-06-19

发明(设计)人：

仲志华

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L29866 H01L2128 H01L21329

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

王江富

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101494126333 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:201110407748X 申请日:20111209
2013-06-19	公开	公开
2016-04-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101731031558 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:201110407748X 申请公布日:20130619
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101689889506 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:201110407748X 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140109

共 50 条

[1]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

韩广涛 ;

蒋盛烽 .

中国专利 :CN111710729B ,2020-09-25

[2]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

韩广涛 .

中国专利 :CN112002767B ,2020-11-27

[3]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

钱文生 ;

吕赵鸿 .

中国专利 :CN101452966A ,2009-06-10

[4]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

吴孝嘉 ;

罗泽煌 ;

孙贵鹏 .

中国专利 :CN102088037A ,2011-06-08

[5]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

廖庭维 ;

陈建馀 ;

游焜煌 ;

翁武得 ;

邱建维 ;

杨大勇 .

中国专利 :CN114784118A ,2022-07-22

[6]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

田甜 ;

刘冬华 ;

许昭昭 .

中国专利 :CN120812962A ,2025-10-17

[7]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

金根扈 ;

李承烨 .

中国专利 :CN100466202C ,2005-12-14

[8]

二极管及其制造方法 [P].

王明辉 .

中国专利 :CN118969855A ,2024-11-15

[9]

一种齐纳二极管及齐纳二极管制作方法 [P].

郝雪东 ;

李大哲 ;

于航 .

中国专利 :CN114551567A ,2022-05-27

[10]

一种齐纳二极管及其制造方法 [P].

殷登平 ;

赵豹 ;

王世军 ;

姚飞 .

中国专利 :CN108198849A ,2018-06-22

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