BCD工艺集成齐纳二极管的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410371263.7
申请日
2024-03-29
公开(公告)号
CN118248634A
公开(公告)日
2024-06-25
发明(设计)人
何兴月 张晗 金锋
申请人
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址
201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号
IPC主分类号
H01L21/8249
IPC分类号
H01L27/06
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
刘昌荣
法律状态
公开
国省代码
上海市
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共 50 条
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齐纳二极管的制造方法 [P]. 
梁博 .
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江口博臣 ;
金原啓道 ;
大川峰司 ;
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