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BCD工艺集成齐纳二极管的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202410371263.7
申请日
:
2024-03-29
公开(公告)号
:
CN118248634A
公开(公告)日
:
2024-06-25
发明(设计)人
:
何兴月
张晗
金锋
申请人
:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号
IPC主分类号
:
H01L21/8249
IPC分类号
:
H01L27/06
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
刘昌荣
法律状态
:
公开
国省代码
:
上海市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-06-25
公开
公开
2024-07-12
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/8249申请日:20240329
共 50 条
[1]
齐纳二极管的制造方法
[P].
梁博
论文数:
0
引用数:
0
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0
梁博
.
中国专利
:CN102592995B
,2012-07-18
[2]
BCD工艺中的隔离型齐纳二极管及其制造方法
[P].
刘冬华
论文数:
0
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0
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0
刘冬华
;
石晶
论文数:
0
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0
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0
石晶
;
段文婷
论文数:
0
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0
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0
段文婷
;
胡君
论文数:
0
引用数:
0
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0
胡君
;
钱文生
论文数:
0
引用数:
0
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0
钱文生
.
中国专利
:CN104009098B
,2014-08-27
[3]
齐纳二极管的制备方法及齐纳二极管
[P].
孙玉红
论文数:
0
引用数:
0
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0
孙玉红
.
中国专利
:CN109148563A
,2019-01-04
[4]
一种齐纳二极管及其BCD工艺制造方法
[P].
陈志勇
论文数:
0
引用数:
0
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0
陈志勇
.
中国专利
:CN101442077B
,2009-05-27
[5]
齐纳二极管的制备方法和齐纳二极管
[P].
杜蕾
论文数:
0
引用数:
0
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0
杜蕾
.
中国专利
:CN106169423A
,2016-11-30
[6]
齐纳二极管
[P].
王春来
论文数:
0
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0
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0
王春来
;
操小莉
论文数:
0
引用数:
0
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操小莉
.
中国专利
:CN204516773U
,2015-07-29
[7]
齐纳二极管
[P].
索米特拉·拉杰·梅赫罗特拉
论文数:
0
引用数:
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0
机构:
恩智浦有限公司
恩智浦有限公司
索米特拉·拉杰·梅赫罗特拉
;
程序
论文数:
0
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0
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机构:
恩智浦有限公司
恩智浦有限公司
程序
;
祝荣华
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
恩智浦有限公司
恩智浦有限公司
祝荣华
.
:CN120980897A
,2025-11-18
[8]
齐纳二极管
[P].
藤井秀纪
论文数:
0
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0
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0
藤井秀纪
.
中国专利
:CN1901233A
,2007-01-24
[9]
BCD工艺中可自由调控击穿电压的齐纳二极管
[P].
方明旭
论文数:
0
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
方明旭
;
陈华伦
论文数:
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
陈华伦
.
中国专利
:CN115528119B
,2025-10-31
[10]
齐纳二极管
[P].
江口博臣
论文数:
0
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0
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江口博臣
;
金原啓道
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0
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0
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金原啓道
;
大川峰司
论文数:
0
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大川峰司
;
池田智史
论文数:
0
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0
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池田智史
.
中国专利
:CN105684156B
,2016-06-15
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