BCD工艺中的隔离型齐纳二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310058886.0

申请日：

2013-02-25

公开(公告)号：

CN104009098B

公开(公告)日：

2014-08-27

发明(设计)人：

刘冬华石晶段文婷胡君钱文生

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L29866

IPC分类号：

H01L2906 H01L21329 H01L21265

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-27	公开	公开
2016-11-09	授权	授权
2014-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587076874 IPC(主分类):H01L 29/866 专利申请号:2013100588860 申请日:20130225

共 50 条

[1]

BCD工艺中的隔离型横向齐纳二极管及其制造方法 [P].

刘冬华 ;

胡君 ;

石晶 ;

段文婷 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104022162B ,2014-09-03

[2]

一种齐纳二极管及其BCD工艺制造方法 [P].

陈志勇 .

中国专利 :CN101442077B ,2009-05-27

[3]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

廖庭维 ;

陈建馀 ;

游焜煌 ;

翁武得 ;

邱建维 ;

杨大勇 .

中国专利 :CN114784118A ,2022-07-22

[4]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

田甜 ;

刘冬华 ;

许昭昭 .

中国专利 :CN120812962A ,2025-10-17

[5]

BCD工艺集成齐纳二极管的制造方法 [P].

何兴月 ;

张晗 ;

金锋 .

中国专利 :CN118248634A ,2024-06-25

[6]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

韩广涛 .

中国专利 :CN112002767B ,2020-11-27

[7]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

韩广涛 ;

蒋盛烽 .

中国专利 :CN111710729B ,2020-09-25

[8]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

钱文生 ;

吕赵鸿 .

中国专利 :CN101452966A ,2009-06-10

[9]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

仲志华 .

中国专利 :CN103165659A ,2013-06-19

[10]

齐纳二极管及其制造方法 [P].

金根扈 ;

李承烨 .

中国专利 :CN100466202C ,2005-12-14

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