BCD工艺中可自由调控击穿电压的齐纳二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211245724.3

申请日：

2022-10-12

公开(公告)号：

CN115528119B

公开(公告)日：

2025-10-31

发明(设计)人：

方明旭陈华伦

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H10D8/25

IPC分类号：

H10D62/10 H10D64/20 H10D64/27

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

刘昌荣

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-31	授权	授权

共 50 条

[1]

BCD工艺中可自由调控击穿电压的齐纳二极管 [P].

方明旭 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN115528119A ,2022-12-27

[2]

BCD工艺集成齐纳二极管的制造方法 [P].

何兴月 ;

张晗 ;

金锋 .

中国专利 :CN118248634A ,2024-06-25

[3]

具有可调整击穿电压的齐纳二极管 [P].

R·西莫拉 ;

P·弗纳拉 .

中国专利 :CN111599871A ,2020-08-28

[4]

具有可调整击穿电压的齐纳二极管 [P].

R·西莫拉 ;

P·弗纳拉 .

法国专利 :CN111599871B ,2025-05-06

[5]

具有可调整击穿电压的齐纳二极管 [P].

R·西莫拉 ;

P·弗纳拉 .

中国专利 :CN105990452A ,2016-10-05

[6]

齐纳二极管与雪崩二极管的反向击穿电压测试仪 [P].

周宝善 ;

李博 .

中国专利 :CN213581234U ,2021-06-29

[7]

具有可调整的低击穿电压的齐纳二极管 [P].

R·西莫拉 ;

P·弗纳拉 .

中国专利 :CN105990453A ,2016-10-05

[8]

齐纳二极管 [P].

王春来 ;

操小莉 .

中国专利 :CN204516773U ,2015-07-29

[9]

齐纳二极管 [P].

索米特拉·拉杰·梅赫罗特拉 ;

程序 ;

祝荣华 .

:CN120980897A ,2025-11-18

[10]

BCD工艺中的隔离型横向齐纳二极管及其制造方法 [P].

刘冬华 ;

胡君 ;

石晶 ;

段文婷 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104022162B ,2014-09-03

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