具有可调整击穿电压的齐纳二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010455022.2

申请日：

2015-11-23

公开(公告)号：

CN111599871B

公开(公告)日：

2025-05-06

发明(设计)人：

R·西莫拉 P·弗纳拉

申请人：

意法半导体(鲁塞)公司

申请人地址：

法国鲁塞

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D8/25 H10D64/00 H10D8/01 H10D12/00

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

李兴斌

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-06	授权	授权

共 50 条

[1]

具有可调整击穿电压的齐纳二极管 [P].

R·西莫拉 ;

P·弗纳拉 .

中国专利 :CN111599871A ,2020-08-28

[2]

具有可调整击穿电压的齐纳二极管 [P].

R·西莫拉 ;

P·弗纳拉 .

中国专利 :CN105990452A ,2016-10-05

[3]

具有可调整的低击穿电压的齐纳二极管 [P].

R·西莫拉 ;

P·弗纳拉 .

中国专利 :CN105990453A ,2016-10-05

[4]

齐纳二极管 [P].

王春来 ;

操小莉 .

中国专利 :CN204516773U ,2015-07-29

[5]

齐纳二极管 [P].

藤井秀纪 .

中国专利 :CN1901233A ,2007-01-24

[6]

齐纳二极管 [P].

索米特拉·拉杰·梅赫罗特拉 ;

程序 ;

祝荣华 .

:CN120980897A ,2025-11-18

[7]

齐纳二极管和电路 [P].

R·西莫拉 ;

P·弗纳拉 .

中国专利 :CN205177856U ,2016-04-20

[8]

具有可控击穿电压的二极管 [P].

F·希尔勒 ;

J·韦耶斯 .

中国专利 :CN103035743A ,2013-04-10

[9]

齐纳二极管 [P].

江口博臣 ;

金原啓道 ;

大川峰司 ;

池田智史 .

中国专利 :CN105684156B ,2016-06-15

[10]

齐纳二极管与雪崩二极管的反向击穿电压测试仪 [P].

周宝善 ;

李博 .

中国专利 :CN213581234U ,2021-06-29

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