制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110359964.1

申请日：

2011-11-14

公开(公告)号：

CN103107090B

公开(公告)日：

2013-05-15

发明(设计)人：

李凤莲倪景华韩秋华

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;顾珊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-15	公开	公开
2013-06-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101472131884 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011103599641 申请日:20111114
2016-04-06	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法 [P].

山口直 .

中国专利 :CN105185794A ,2015-12-23

[2]

制造半导体器件的方法 [P].

朴信胜 .

中国专利 :CN1873952A ,2006-12-06

[3]

半导体器件的制造方法 [P].

徐秋霞 ;

许高博 ;

周华杰 ;

朱慧珑 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN103855016A ,2014-06-11

[4]

半导体器件的制造方法 [P].

朴真河 .

中国专利 :CN101150071A ,2008-03-26

[5]

半导体器件的制造方法 [P].

徐秋霞 ;

朱慧珑 ;

许高博 ;

周华杰 ;

梁擎擎 ;

陈大鹏 ;

赵超 .

中国专利 :CN103855006A ,2014-06-11

[6]

半导体器件的制造方法 [P].

山口直 .

中国专利 :CN111490059A ,2020-08-04

[7]

半导体器件的制造方法 [P].

徐秋霞 ;

朱慧珑 ;

许高博 ;

周华杰 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN103854982B ,2014-06-11

[8]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

清水二二男 ;

可知刚 ;

吉田芳规 .

中国专利 :CN112103288A ,2020-12-18

[9]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

F.希尔勒 ;

C.坎彭 ;

A.迈泽 .

中国专利 :CN103915499A ,2014-07-09

[10]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

冈本真一 ;

冈崎勉 .

中国专利 :CN108010911A ,2018-05-08

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