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沉淀氟氧化钇的清洁工艺
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201780021736.9
申请日
:
2017-01-23
公开(公告)号
:
CN109196620A
公开(公告)日
:
2019-01-11
发明(设计)人
:
C·李
J·Y·孙
Y·陈
申请人
:
申请人地址
:
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
:
H01L2102
IPC分类号
:
H01L2156
H01L213065
代理机构
:
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人
:
汪骏飞;侯颖媖
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-04-23
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20170123
2019-01-11
公开
公开
共 50 条
[1]
氟氧化钇、稳定化氟氧化钇制造用原料粉末以及稳定化氟氧化钇的制造方法
[P].
濑户康博
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濑户康博
;
今浦祥治
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今浦祥治
;
小出将大
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小出将大
.
中国专利
:CN107848831A
,2018-03-27
[2]
球状氟氧化钇基粉末及其制备方法、氟氧化钇基涂层
[P].
洪基源
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机构:
KOMICO有限公司
KOMICO有限公司
洪基源
;
方晟植
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机构:
KOMICO有限公司
KOMICO有限公司
方晟植
;
郑东勋
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机构:
KOMICO有限公司
KOMICO有限公司
郑东勋
.
韩国专利
:CN116060612B
,2024-06-04
[3]
一种氟氧化钇喷涂粉的制备方法及氟氧化钇喷涂粉
[P].
辛长林
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机构:
苏州高芯众科半导体有限公司
苏州高芯众科半导体有限公司
辛长林
;
王必庆
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机构:
苏州高芯众科半导体有限公司
苏州高芯众科半导体有限公司
王必庆
.
中国专利
:CN117430977B
,2024-02-23
[4]
一种氟氧化钇喷涂粉的制备方法及氟氧化钇喷涂粉
[P].
辛长林
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机构:
苏州高芯众科半导体有限公司
苏州高芯众科半导体有限公司
辛长林
;
王必庆
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机构:
苏州高芯众科半导体有限公司
苏州高芯众科半导体有限公司
王必庆
.
中国专利
:CN117430977A
,2024-01-23
[5]
一种制备掺铕氟氧化钇纳米纤维的方法
[P].
董相廷
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董相廷
;
侯远
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侯远
;
王进贤
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王进贤
;
刘桂霞
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刘桂霞
;
于文生
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于文生
;
徐佳
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徐佳
.
中国专利
:CN102041583A
,2011-05-04
[6]
氧化钇皮膜
[P].
北村顺也
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北村顺也
;
水野宏昭
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水野宏昭
;
菲洛夫泰亚-劳拉·托马
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菲洛夫泰亚-劳拉·托马
;
斯蒂芬·兰纳
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斯蒂芬·兰纳
;
卢兹-迈克尔·伯杰
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卢兹-迈克尔·伯杰
;
安内格特·波特霍夫
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安内格特·波特霍夫
.
中国专利
:CN107254651A
,2017-10-17
[7]
氧化钇皮膜
[P].
北村顺也
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北村顺也
;
水野宏昭
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水野宏昭
;
菲洛夫泰亚-劳拉·托马
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菲洛夫泰亚-劳拉·托马
;
斯蒂芬·兰纳
论文数:
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斯蒂芬·兰纳
;
卢兹-迈克尔·伯杰
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卢兹-迈克尔·伯杰
;
安内格特·波特霍夫
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0
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安内格特·波特霍夫
.
中国专利
:CN104093874A
,2014-10-08
[8]
保形氧化钇涂层
[P].
托尼·S·考沙尔
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
托尼·S·考沙尔
;
米歇尔·拉科姆·诺瓦克
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
米歇尔·拉科姆·诺瓦克
.
美国专利
:CN117677734A
,2024-03-08
[9]
一种制备高纯氟氧化钇的方法
[P].
熊伟
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熊伟
;
任卫
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任卫
;
高亮
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高亮
;
赖启飞
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赖启飞
;
祝寅明
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祝寅明
;
罗威
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罗威
;
祝文才
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祝文才
.
中国专利
:CN112357945A
,2021-02-12
[10]
一种纳米氧化钇的制备方法、纳米氧化钇及氧化钇微米空心球
[P].
韦家谋
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韦家谋
;
罗冷
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罗冷
.
中国专利
:CN114436314A
,2022-05-06
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