氟氧化钇、稳定化氟氧化钇制造用原料粉末以及稳定化氟氧化钇的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680045497.6

申请日：

2016-03-29

公开(公告)号：

CN107848831A

公开(公告)日：

2018-03-27

发明(设计)人：

濑户康博今浦祥治小出将大

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C01F1700

IPC分类号：

C01F1122 C04B3550

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

陈建全

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01F 17/00 申请日:20160329
2018-03-27	公开	公开

共 50 条

[1]

球状氟氧化钇基粉末及其制备方法、氟氧化钇基涂层 [P].

洪基源 ;

方晟植 ;

郑东勋 .

韩国专利 :CN116060612B ,2024-06-04

[2]

一种氟氧化钇喷涂粉的制备方法及氟氧化钇喷涂粉 [P].

辛长林 ;

王必庆 .

中国专利 :CN117430977B ,2024-02-23

[3]

一种氟氧化钇喷涂粉的制备方法及氟氧化钇喷涂粉 [P].

辛长林 ;

王必庆 .

中国专利 :CN117430977A ,2024-01-23

[4]

沉淀氟氧化钇的清洁工艺 [P].

C·李 ;

J·Y·孙 ;

Y·陈 .

中国专利 :CN109196620A ,2019-01-11

[5]

氧化钇皮膜 [P].

北村顺也 ;

水野宏昭 ;

菲洛夫泰亚-劳拉·托马 ;

斯蒂芬·兰纳 ;

卢兹-迈克尔·伯杰 ;

安内格特·波特霍夫 .

中国专利 :CN107254651A ,2017-10-17

[6]

氧化钇皮膜 [P].

北村顺也 ;

水野宏昭 ;

菲洛夫泰亚-劳拉·托马 ;

斯蒂芬·兰纳 ;

卢兹-迈克尔·伯杰 ;

安内格特·波特霍夫 .

中国专利 :CN104093874A ,2014-10-08

[7]

氧化钇材料、半导体制造装置用构件及氧化钇材料的制造方法 [P].

小林义政 ;

胜田祐司 ;

阪井博明 ;

新原皓一 ;

中山忠亲 .

中国专利 :CN101265101B ,2008-09-17

[8]

氧化钇材料、半导体制造装置用部件及氧化钇材料的制造方法 [P].

小林义政 ;

胜田佑司 .

中国专利 :CN101508567B ,2009-08-19

[9]

超高纯氧化钇的制造方法 [P].

张静筠 .

中国专利 :CN1140148A ,1997-01-15

[10]

含氧化钇膜的制造方法 [P].

西田章浩 ;

山下敦史 .

中国专利 :CN114502770A ,2022-05-13

← 1 2 3 4 5 →