超高纯氧化钇的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN95111862.5

申请日：

1995-07-12

公开(公告)号：

CN1140148A

公开(公告)日：

1997-01-15

发明(设计)人：

张静筠

申请人：

申请人地址：

130022吉林省长春市斯大林大街109号

IPC主分类号：

C01F100

IPC分类号：

B01J3904

代理机构：

中国科学院长春专利事务所

代理人：

宋天平

法律状态：

专利申请的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-04-28	专利申请的视为撤回	专利申请的视为撤回
1997-01-15	公开	公开

共 50 条

[1]

高纯氧化钇铕的制备方法 [P].

史卫东 ;

肖睿 ;

何地宝 ;

刘刚 ;

吴伯伟 ;

钟成福 .

中国专利 :CN1931724A ,2007-03-21

[2]

高纯氧化钇陶瓷的制备方法 [P].

毛小建 .

中国专利 :CN118955136A ,2024-11-15

[3]

获得高纯氧化钇和氧化镧的方法 [P].

李标国 ;

朱振东 ;

黄春辉 ;

高松 ;

严纯华 ;

徐光宪 .

中国专利 :CN1042526A ,1990-05-30

[4]

一种制备高纯氧化钇的方法 [P].

杨启山 ;

李明东 ;

贾正 .

中国专利 :CN1086267A ,1994-05-04

[5]

氟氧化钇、稳定化氟氧化钇制造用原料粉末以及稳定化氟氧化钇的制造方法 [P].

濑户康博 ;

今浦祥治 ;

小出将大 .

中国专利 :CN107848831A ,2018-03-27

[6]

溶剂萃取分离高纯氧化钇工艺 [P].

李德谦 ;

王香兰 ;

孟淑兰 ;

白彦 .

中国专利 :CN1563442A ,2005-01-12

[7]

含氧化钇膜的制造方法 [P].

西田章浩 ;

山下敦史 .

中国专利 :CN114502770A ,2022-05-13

[8]

纳米氧化钇粉体的制造方法 [P].

李玲 .

中国专利 :CN1410353A ,2003-04-16

[9]

氧化钇材料、半导体制造装置用构件及氧化钇材料的制造方法 [P].

小林义政 ;

胜田祐司 ;

阪井博明 ;

新原皓一 ;

中山忠亲 .

中国专利 :CN101265101B ,2008-09-17

[10]

氧化钇材料、半导体制造装置用部件及氧化钇材料的制造方法 [P].

小林义政 ;

胜田佑司 .

中国专利 :CN101508567B ,2009-08-19

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