含氧化钇膜的制造方法

被引：0

申请号：

CN202080069857.2

申请日：

2020-09-24

公开(公告)号：

CN114502770A

公开(公告)日：

2022-05-13

发明(设计)人：

西田章浩山下敦史

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C23C16455

IPC分类号：

C23C1640

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

吴宗颐

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/455 申请日:20200924
2022-05-13	公开	公开

共 50 条

[1]

通过原子层沉积法制造含氧化钇薄膜的制造方法 [P].

西田章浩 ;

山下敦史 .

中国专利 :CN110475904A ,2019-11-19

[2]

含氧化钇的玻璃基板 [P].

蒂莫西·迈克尔·格罗斯 ;

亚历山德拉·赖清高·安德鲁斯·米切尔 .

中国专利 :CN114096491A ,2022-02-25

[3]

氧化钇烧结体及其制造方法 [P].

永坂幸行 ;

森田敬司 ;

渡边敬祐 .

中国专利 :CN100396647C ,2007-02-21

[4]

含氧化钇的焊条添加剂及其制备方法 [P].

李建林 ;

白春富 ;

唐宗贵 ;

孙安红 .

中国专利 :CN104117785A ,2014-10-29

[5]

氟氧化钇、稳定化氟氧化钇制造用原料粉末以及稳定化氟氧化钇的制造方法 [P].

濑户康博 ;

今浦祥治 ;

小出将大 .

中国专利 :CN107848831A ,2018-03-27

[6]

超高纯氧化钇的制造方法 [P].

张静筠 .

中国专利 :CN1140148A ,1997-01-15

[7]

纳米氧化钇粉体的制造方法 [P].

李玲 .

中国专利 :CN1410353A ,2003-04-16

[8]

氧化钇材料、半导体制造装置用构件及氧化钇材料的制造方法 [P].

小林义政 ;

胜田祐司 ;

阪井博明 ;

新原皓一 ;

中山忠亲 .

中国专利 :CN101265101B ,2008-09-17

[9]

氧化钇材料、半导体制造装置用部件及氧化钇材料的制造方法 [P].

小林义政 ;

胜田佑司 .

中国专利 :CN101508567B ,2009-08-19

[10]

通过大气等离子喷涂法制造高密度氧化钇膜的方法及使用其制造的氧化钇热喷涂皮膜 [P].

郑东勋 ;

宋成九 ;

方晟植 .

韩国专利 :CN119546795A ,2025-02-28

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