光刻过程的子场控制和相关联设备

被引：0

申请号：

CN202080063335.1

申请日：

2020-08-06

公开(公告)号：

CN114667488A

公开(公告)日：

2022-06-24

发明(设计)人：

J·F·F·克林哈梅 V·阿尔蒂尼 H·E·卡图 T·W·M·提森

申请人：

申请人地址：

荷兰维德霍温

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王益

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-24	公开	公开
2022-07-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20200806

共 50 条

[1]

光刻过程的子场控制和相关联设备 [P].

J·F·F·克林哈梅 ;

V·阿尔蒂尼 ;

H·E·卡图 ;

T·W·M·提森 .

:CN114667488B ,2025-07-22

[2]

调整用于光刻过程的模型的方法和相关联的设备 [P].

M·阿柯斯塞 ;

P·弗朗西斯科 .

中国专利 :CN115053186A ,2022-09-13

[3]

光刻工艺的子场控制和相关设备 [P].

P·萨普塔拉 ;

P·G·J·斯莫雷伯格 ;

K·艾尔巴泰 ;

P·德尔温 ;

钟波 ;

小松雅也 ;

R·梅耶林克 ;

T·W·M·泰杰森 ;

M·S·S·莱 .

:CN113678063B ,2024-12-24

[4]

光刻工艺的子场控制和相关设备 [P].

P·萨普塔拉 ;

P·G·J·斯莫雷伯格 ;

K·艾尔巴泰 ;

P·德尔温 ;

钟波 ;

小松雅也 ;

R·梅耶林克 ;

T·W·M·泰杰森 ;

M·S·S·莱 .

:CN119414673A ,2025-02-11

[5]

光刻工艺的子场控制和相关设备 [P].

P·萨普塔拉 ;

P·G·J·斯莫雷伯格 ;

K·艾尔巴泰 ;

P·德尔温 ;

钟波 ;

小松雅也 ;

R·梅耶林克 ;

T·W·M·泰杰森 ;

M·S·S·莱 .

中国专利 :CN113678063A ,2021-11-19

[6]

光刻设备和相关联的方法 [P].

M·A·范德克尔克霍夫 ;

R·范德含 ;

D·E·V·范赫斯特尔 ;

弗朗西斯克斯·约翰内斯·约瑟芬·詹森 ;

保罗·亚历山大·维梅伦 ;

M·安格尔 ;

A·J·沃尔夫 ;

M·F·P·斯密特斯 .

:CN121079644A ,2025-12-05

[7]

光刻设备和相关联的方法 [P].

G·C·德弗里斯 ;

S·N·L·多纳斯 ;

弗朗西斯克斯·约翰内斯·约瑟芬·詹森 ;

E·库尔干诺娃 ;

A·J·沃尔夫 ;

T·J·W·巴克 ;

V·D·希尔德布兰德 ;

保罗·亚历山大·维梅伦 ;

M·安格尔 ;

B·A·J·卢蒂克惠斯 ;

R·范德含 ;

J·P·J·范勒比锡格 .

:CN118541640A ,2024-08-23

[8]

光刻工艺及关联设备的子场控制 [P].

P·G·J·斯莫雷伯格 ;

P·萨普塔拉 ;

P·德尔温 ;

K·艾尔巴泰 .

中国专利 :CN114174927A ,2022-03-11

[9]

光刻工艺及关联设备的子场控制 [P].

P·G·J·斯莫雷伯格 ;

P·萨普塔拉 ;

P·德尔温 ;

K·艾尔巴泰 .

:CN114174927B ,2025-05-13

[10]

光刻工艺及关联设备的子场控制 [P].

P·G·J·斯莫雷伯格 ;

P·萨普塔拉 ;

P·德尔温 ;

K·艾尔巴泰 .

:CN120122399A ,2025-06-10

← 1 2 3 4 5 →