光刻工艺的子场控制和相关设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080027012.7

申请日：

2020-03-05

公开(公告)号：

CN113678063A

公开(公告)日：

2021-11-19

发明(设计)人：

P·萨普塔拉 P·G·J·斯莫雷伯格 K·艾尔巴泰 P·德尔温钟波小松雅也 R·梅耶林克 T·W·M·泰杰森 M·S·S·莱

申请人：

申请人地址：

荷兰维德霍温

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

G03F170

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

赵林琳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-19	公开	公开
2021-12-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20200305

共 50 条

[1]

光刻工艺的子场控制和相关设备 [P].

P·萨普塔拉 ;

P·G·J·斯莫雷伯格 ;

K·艾尔巴泰 ;

P·德尔温 ;

钟波 ;

小松雅也 ;

R·梅耶林克 ;

T·W·M·泰杰森 ;

M·S·S·莱 .

:CN113678063B ,2024-12-24

[2]

光刻工艺的子场控制和相关设备 [P].

P·萨普塔拉 ;

P·G·J·斯莫雷伯格 ;

K·艾尔巴泰 ;

P·德尔温 ;

钟波 ;

小松雅也 ;

R·梅耶林克 ;

T·W·M·泰杰森 ;

M·S·S·莱 .

:CN119414673A ,2025-02-11

[3]

光刻工艺及关联设备的子场控制 [P].

P·G·J·斯莫雷伯格 ;

P·萨普塔拉 ;

P·德尔温 ;

K·艾尔巴泰 .

中国专利 :CN114174927A ,2022-03-11

[4]

光刻工艺及关联设备的子场控制 [P].

P·G·J·斯莫雷伯格 ;

P·萨普塔拉 ;

P·德尔温 ;

K·艾尔巴泰 .

:CN120122399A ,2025-06-10

[5]

光刻工艺及关联设备的子场控制 [P].

P·G·J·斯莫雷伯格 ;

P·萨普塔拉 ;

P·德尔温 ;

K·艾尔巴泰 .

:CN114174927B ,2025-05-13

[6]

光刻过程的子场控制和相关联设备 [P].

J·F·F·克林哈梅 ;

V·阿尔蒂尼 ;

H·E·卡图 ;

T·W·M·提森 .

:CN114667488B ,2025-07-22

[7]

光刻过程的子场控制和相关联设备 [P].

J·F·F·克林哈梅 ;

V·阿尔蒂尼 ;

H·E·卡图 ;

T·W·M·提森 .

中国专利 :CN114667488A ,2022-06-24

[8]

光刻工艺和相关装置的设置和控制方法 [P].

M·豪普特曼 ;

R·J·梅杰林克 ;

曾思翰 ;

包佳子 .

:CN118901046A ,2024-11-05

[9]

光刻设备和光刻工艺中的方法 [P].

J·P·克罗斯 ;

K·N·S·库特奥 ;

R·埃尔鲍布希 ;

R·J·T·鲁滕 ;

P·J·C·H·斯姆德斯 ;

M·L·P·维瑟 ;

J·S·C·韦斯特拉肯 .

中国专利 :CN107533300B ,2018-01-02

[10]

光刻设备和光刻工艺中的方法 [P].

J·P·克罗斯 ;

K·N·S·库特奥 ;

R·埃尔鲍布希 ;

R·J·T·鲁滕 ;

P·J·C·H·斯姆德斯 ;

M·L·P·维瑟 ;

J·S·C·韦斯特拉肯 .

中国专利 :CN111352309A ,2020-06-30

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