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氧化物材料、QLED及其制备方法
被引:0
申请号
:
CN202111111226.5
申请日
:
2021-09-23
公开(公告)号
:
CN115377305A
公开(公告)日
:
2022-11-22
发明(设计)人
:
龚浩天
庄锦勇
申请人
:
申请人地址
:
510700 广东省广州市黄埔区光谱中路11号云升科学园1号楼1F
IPC主分类号
:
H01L5150
IPC分类号
:
H01L5154
H01L5156
代理机构
:
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
:
向薇
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-11-22
公开
公开
2022-12-09
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/50 申请日:20210923
共 50 条
[1]
金属氧化物改性QLED器件及其制备方法
[P].
王宇
论文数:
0
引用数:
0
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0
王宇
;
曹蔚然
论文数:
0
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曹蔚然
;
杨一行
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0
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0
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0
杨一行
;
钱磊
论文数:
0
引用数:
0
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0
钱磊
.
中国专利
:CN106784346B
,2017-05-31
[2]
一种金属氧化物及其制备方法、QLED器件
[P].
王宇
论文数:
0
引用数:
0
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0
王宇
;
曹蔚然
论文数:
0
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0
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0
曹蔚然
.
中国专利
:CN109817839B
,2019-05-28
[3]
制备涂敷氧化物材料的方法
[P].
M·阿尔夫
论文数:
0
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0
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0
M·阿尔夫
;
T·莫伊雷尔
论文数:
0
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0
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0
T·莫伊雷尔
;
C·埃尔克
论文数:
0
引用数:
0
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0
C·埃尔克
;
J·哈格
论文数:
0
引用数:
0
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0
J·哈格
;
H·索默
论文数:
0
引用数:
0
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0
H·索默
.
中国专利
:CN113039668A
,2021-06-25
[4]
一种氧化物薄膜的制备方法与QLED器件
[P].
吴劲衡
论文数:
0
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0
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0
吴劲衡
;
吴龙佳
论文数:
0
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0
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0
吴龙佳
;
何斯纳
论文数:
0
引用数:
0
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0
何斯纳
.
中国专利
:CN109698282B
,2019-04-30
[5]
锂氧化物材料和制备锂氧化物材料的方法
[P].
A·普伦
论文数:
0
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0
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机构:
6K有限公司
6K有限公司
A·普伦
;
J·米鲁斯
论文数:
0
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0
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机构:
6K有限公司
6K有限公司
J·米鲁斯
;
R·K·霍尔曼
论文数:
0
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机构:
6K有限公司
6K有限公司
R·K·霍尔曼
;
W·奥尔森
论文数:
0
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0
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0
机构:
6K有限公司
6K有限公司
W·奥尔森
.
美国专利
:CN121039064A
,2025-11-28
[6]
钛氧化物,导电钛氧化物及其制备方法
[P].
矶部薰
论文数:
0
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矶部薰
;
千叶胜一
论文数:
0
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千叶胜一
;
坂本隆纪
论文数:
0
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0
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坂本隆纪
.
中国专利
:CN101400608A
,2009-04-01
[7]
氧化物薄膜的制备方法与QLED器件
[P].
王宇
论文数:
0
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0
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0
王宇
;
曹蔚然
论文数:
0
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0
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0
曹蔚然
.
中国专利
:CN109817838A
,2019-05-28
[8]
一种Al掺杂氧化物、制备方法及QLED
[P].
王宇
论文数:
0
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0
王宇
;
曹蔚然
论文数:
0
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曹蔚然
;
杨一行
论文数:
0
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杨一行
;
钱磊
论文数:
0
引用数:
0
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0
钱磊
.
中国专利
:CN106784397A
,2017-05-31
[9]
金属氧化物及其制备方法
[P].
郭健
论文数:
0
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0
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郭健
;
向玉莹
论文数:
0
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0
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向玉莹
;
李铭峰
论文数:
0
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0
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李铭峰
;
周萱
论文数:
0
引用数:
0
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0
周萱
.
中国专利
:CN110921724A
,2020-03-27
[10]
制备掺杂氧化物材料的方法
[P].
K·扬卡
论文数:
0
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K·扬卡
;
M·拉亚拉
论文数:
0
引用数:
0
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0
M·拉亚拉
.
中国专利
:CN1665747A
,2005-09-07
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