氧化物材料、QLED及其制备方法

被引:0
申请号
CN202111111226.5
申请日
2021-09-23
公开(公告)号
CN115377305A
公开(公告)日
2022-11-22
发明(设计)人
龚浩天 庄锦勇
申请人
申请人地址
510700 广东省广州市黄埔区光谱中路11号云升科学园1号楼1F
IPC主分类号
H01L5150
IPC分类号
H01L5154 H01L5156
代理机构
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
向薇
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
金属氧化物改性QLED器件及其制备方法 [P]. 
王宇 ;
曹蔚然 ;
杨一行 ;
钱磊 .
中国专利 :CN106784346B ,2017-05-31
[2]
一种金属氧化物及其制备方法、QLED器件 [P]. 
王宇 ;
曹蔚然 .
中国专利 :CN109817839B ,2019-05-28
[3]
制备涂敷氧化物材料的方法 [P]. 
M·阿尔夫 ;
T·莫伊雷尔 ;
C·埃尔克 ;
J·哈格 ;
H·索默 .
中国专利 :CN113039668A ,2021-06-25
[4]
一种氧化物薄膜的制备方法与QLED器件 [P]. 
吴劲衡 ;
吴龙佳 ;
何斯纳 .
中国专利 :CN109698282B ,2019-04-30
[5]
锂氧化物材料和制备锂氧化物材料的方法 [P]. 
A·普伦 ;
J·米鲁斯 ;
R·K·霍尔曼 ;
W·奥尔森 .
美国专利 :CN121039064A ,2025-11-28
[6]
钛氧化物,导电钛氧化物及其制备方法 [P]. 
矶部薰 ;
千叶胜一 ;
坂本隆纪 .
中国专利 :CN101400608A ,2009-04-01
[7]
氧化物薄膜的制备方法与QLED器件 [P]. 
王宇 ;
曹蔚然 .
中国专利 :CN109817838A ,2019-05-28
[8]
一种Al掺杂氧化物、制备方法及QLED [P]. 
王宇 ;
曹蔚然 ;
杨一行 ;
钱磊 .
中国专利 :CN106784397A ,2017-05-31
[9]
金属氧化物及其制备方法 [P]. 
郭健 ;
向玉莹 ;
李铭峰 ;
周萱 .
中国专利 :CN110921724A ,2020-03-27
[10]
制备掺杂氧化物材料的方法 [P]. 
K·扬卡 ;
M·拉亚拉 .
中国专利 :CN1665747A ,2005-09-07