金属氧化物改性QLED器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611124168.9

申请日：

2016-12-08

公开(公告)号：

CN106784346B

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

王宇曹蔚然杨一行钱磊

申请人：

申请人地址：

516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区

IPC主分类号：

H01L5150

IPC分类号：

H01L5154 H01L5156 H01L3300 H01L3304

代理机构：

深圳中一专利商标事务所 44237

代理人：

黄志云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/50 申请日:20161208
2019-05-07	授权	授权
2017-05-31	公开	公开

共 50 条

[1]

一种金属氧化物及其制备方法、QLED器件 [P].

王宇 ;

曹蔚然 .

中国专利 :CN109817839B ,2019-05-28

[2]

一种基于金属/金属氧化物的QLED器件及其制备方法 [P].

王宇 ;

曹蔚然 ;

杨一行 ;

钱磊 .

中国专利 :CN106252521A ,2016-12-21

[3]

一种金属氧化物及其制备方法与QLED器件 [P].

吴劲衡 ;

吴龙佳 ;

何斯纳 .

中国专利 :CN109980129A ,2019-07-05

[4]

QLED器件及其制备方法 [P].

王宇 ;

曹蔚然 ;

李龙基 .

中国专利 :CN108878663A ,2018-11-23

[5]

QLED器件及其制备方法 [P].

陈亚文 ;

宋晶尧 ;

付东 .

中国专利 :CN108346749A ,2018-07-31

[6]

金属氧化物改性的多层氧化物陶瓷及其制备方法和应用 [P].

刘亦谦 ;

孙丰博 ;

刘隽甫 ;

王智权 ;

孙士伦 ;

刘一鸣 ;

杨兴龙 ;

李仁顺 .

中国专利 :CN117602931A ,2024-02-27

[7]

氧化物材料、QLED及其制备方法 [P].

龚浩天 ;

庄锦勇 .

中国专利 :CN115377305A ,2022-11-22

[8]

一种氧化物薄膜及其制备方法与QLED器件 [P].

曹蔚然 ;

王宇 .

中国专利 :CN109817814A ,2019-05-28

[9]

一种氧化物薄膜的制备方法与QLED器件 [P].

吴劲衡 ;

吴龙佳 ;

何斯纳 .

中国专利 :CN109698282B ,2019-04-30

[10]

金属氧化物改性耐热胶料及其制备方法 [P].

高德敏 .

中国专利 :CN104725686A ,2015-06-24

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