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一种氧化物薄膜及其制备方法与QLED器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201711163315.8
申请日：
2017-11-21
公开(公告)号：
CN109817814A
公开(公告)日：
2019-05-28
发明(设计)人：
曹蔚然 王宇
申请人：
申请人地址：
516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
IPC主分类号：
H01L5150
IPC分类号：
H01L5154 H01L5156
代理机构：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268
代理人：
王永文;刘文求
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-05-28 公开 公开
2019-06-21 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/50 申请日:20171121
2020-11-06 著录事项变更 著录事项变更 IPC(主分类):H01L 51/50 变更事项:申请人 变更前:TCL集团股份有限公司 变更后:TCL科技集团股份有限公司 变更事项:地址 变更前:516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区 变更后:516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
2020-11-17 授权 授权
共 50 条
[1]
氧化物薄膜的制备方法与QLED器件 [P]. 
王宇 ;
曹蔚然 .
中国专利 :CN109817838A ,2019-05-28
[2]
一种氧化物薄膜的制备方法与QLED器件 [P]. 
吴劲衡 ;
吴龙佳 ;
何斯纳 .
中国专利 :CN109698282B ,2019-04-30
[3]
一种金属氧化物及其制备方法与QLED器件 [P]. 
吴劲衡 ;
吴龙佳 ;
何斯纳 .
中国专利 :CN109980129A ,2019-07-05
[4]
一种金属氧化物及其制备方法、QLED器件 [P]. 
王宇 ;
曹蔚然 .
中国专利 :CN109817839B ,2019-05-28
[5]
金属氧化物改性QLED器件及其制备方法 [P]. 
王宇 ;
曹蔚然 ;
杨一行 ;
钱磊 .
中国专利 :CN106784346B ,2017-05-31
[6]
一种薄膜及其制备方法与QLED器件 [P]. 
吴劲衡 ;
吴龙佳 ;
何斯纳 .
中国专利 :CN109962179A ,2019-07-02
[7]
一种薄膜的制备方法及其应用、QLED器件 [P]. 
王宇 ;
曹蔚然 .
中国专利 :CN109817510A ,2019-05-28
[8]
薄膜及其制备方法与QLED器件 [P]. 
向超宇 ;
邓天旸 ;
李乐 ;
张滔 ;
辛征航 ;
张东华 .
中国专利 :CN109713140B ,2019-05-03
[9]
一种氧化物薄膜衬底、氧化物薄膜及其制备方法 [P]. 
陈德杨 ;
尹小哲 ;
邓雄 ;
陈超 ;
孙菲 .
中国专利 :CN110408888A ,2019-11-05
[10]
一种薄膜及其制备方法与QLED器件 [P]. 
杨一行 ;
程陆玲 .
中国专利 :CN109962170A ,2019-07-02
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