一种薄膜的制备方法及其应用、QLED器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711163312.4

申请日：

2017-11-21

公开(公告)号：

CN109817510A

公开(公告)日：

2019-05-28

发明(设计)人：

王宇曹蔚然

申请人：

申请人地址：

516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L5150 H01L5154

代理机构：

深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268

代理人：

王永文;刘文求

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-18	授权	授权
2021-05-07	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/02 变更事项:申请人变更前:TCL集团股份有限公司变更后:TCL科技集团股份有限公司变更事项:地址变更前:516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区变更后:516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
2019-06-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20171121
2019-05-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种薄膜及其制备方法与QLED器件 [P].

吴劲衡 ;

吴龙佳 ;

何斯纳 .

中国专利 :CN109962179A ,2019-07-02

[2]

一种金属氧化物及其制备方法、QLED器件 [P].

王宇 ;

曹蔚然 .

中国专利 :CN109817839B ,2019-05-28

[3]

一种氧化物薄膜及其制备方法与QLED器件 [P].

曹蔚然 ;

王宇 .

中国专利 :CN109817814A ,2019-05-28

[4]

QLED器件及其制备方法 [P].

陈亚文 ;

宋晶尧 ;

付东 .

中国专利 :CN108346749A ,2018-07-31

[5]

一种QLED器件及其制备方法 [P].

王宇 ;

曹蔚然 ;

李龙基 .

中国专利 :CN109962133B ,2019-07-02

[6]

氧化物薄膜的制备方法与QLED器件 [P].

王宇 ;

曹蔚然 .

中国专利 :CN109817838A ,2019-05-28

[7]

薄膜及其制备方法与QLED器件 [P].

向超宇 ;

邓天旸 ;

李乐 ;

张滔 ;

辛征航 ;

张东华 .

中国专利 :CN109713140B ,2019-05-03

[8]

一种薄膜及其制备方法与QLED器件 [P].

杨一行 ;

程陆玲 .

中国专利 :CN109962170A ,2019-07-02

[9]

QLED空穴注入层的制备方法、QLED及其制备方法 [P].

王宇 ;

曹蔚然 ;

杨一行 ;

钱磊 .

中国专利 :CN106252522A ,2016-12-21

[10]

QLED器件及其制备方法 [P].

王宇 ;

曹蔚然 ;

李龙基 .

中国专利 :CN108878663A ,2018-11-23

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