一种QLED器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711431439.X

申请日：

2017-12-26

公开(公告)号：

CN109962133B

公开(公告)日：

2019-07-02

发明(设计)人：

王宇曹蔚然李龙基

申请人：

申请人地址：

516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3344 H01L3300

代理机构：

深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268

代理人：

王永文;刘文求

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-02	公开	公开
2020-11-17	授权	授权
2019-07-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20171226
2020-11-06	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 33/06 变更事项:申请人变更前:TCL集团股份有限公司变更后:TCL科技集团股份有限公司变更事项:地址变更前:516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区变更后:516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

共 50 条

[1]

QLED器件及其制备方法 [P].

王宇 ;

曹蔚然 ;

李龙基 .

中国专利 :CN108878663A ,2018-11-23

[2]

QLED器件及其制备方法 [P].

陈亚文 ;

宋晶尧 ;

付东 .

中国专利 :CN108346749A ,2018-07-31

[3]

QLED器件及其制备方法 [P].

汪鹏生 ;

龚克 .

中国专利 :CN115440911A ,2022-12-06

[4]

QLED器件及其制备方法 [P].

刘佳 .

中国专利 :CN106784202A ,2017-05-31

[5]

一种基于复合电极的QLED器件及其制备方法 [P].

刘佳 ;

曹蔚然 ;

梁柱荣 .

中国专利 :CN109390480A ,2019-02-26

[6]

一种倒置QLED器件及其制备方法 [P].

陈梓 ;

卢瑶 ;

陈静 ;

蒋金龙 ;

李进 ;

陈小芳 ;

周素琴 .

中国专利 :CN110828684B ,2020-02-21

[7]

金属氧化物改性QLED器件及其制备方法 [P].

王宇 ;

曹蔚然 ;

杨一行 ;

钱磊 .

中国专利 :CN106784346B ,2017-05-31

[8]

空穴传输材料、QLED器件及其制备方法 [P].

吴劲衡 ;

吴龙佳 ;

何斯纳 .

中国专利 :CN109935732B ,2019-06-25

[9]

QLED器件及其制备方法 [P].

杨紫琰 ;

龙能文 ;

管子豪 .

中国专利 :CN113851593A ,2021-12-28

[10]

一种QLED器件及其制作方法 [P].

宋莹莹 .

中国专利 :CN108767126A ,2018-11-06

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