QLED器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710662652.5

申请日：

2017-08-04

公开(公告)号：

CN108346749A

公开(公告)日：

2018-07-31

发明(设计)人：

陈亚文宋晶尧付东

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市广州中新广州知识城凤凰三路17号自编五栋388

IPC主分类号：

H01L5150

IPC分类号：

H01L5156

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

郑彤

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 51/50 申请公布日:20180731
2018-07-31	公开	公开
2018-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/50 申请日:20170804

共 50 条

[1]

QLED器件及其制备方法 [P].

王宇 ;

曹蔚然 ;

李龙基 .

中国专利 :CN108878663A ,2018-11-23

[2]

一种QLED器件及其制备方法 [P].

王宇 ;

曹蔚然 ;

李龙基 .

中国专利 :CN109962133B ,2019-07-02

[3]

QLED器件及其制备方法 [P].

汪鹏生 ;

龚克 .

中国专利 :CN115440911A ,2022-12-06

[4]

QLED器件及其制备方法 [P].

刘佳 .

中国专利 :CN106784202A ,2017-05-31

[5]

一种倒置QLED器件及其制备方法 [P].

陈梓 ;

卢瑶 ;

陈静 ;

蒋金龙 ;

李进 ;

陈小芳 ;

周素琴 .

中国专利 :CN110828684B ,2020-02-21

[6]

一种具有自组装电子传输层的QLED器件及其制备方法 [P].

肖标 ;

付东 ;

谢相伟 .

中国专利 :CN105161635A ,2015-12-16

[7]

不含ITO的QLED及其制备方法 [P].

肖标 ;

付东 ;

谢相伟 .

中国专利 :CN105140411B ,2015-12-09

[8]

金属氧化物改性QLED器件及其制备方法 [P].

王宇 ;

曹蔚然 ;

杨一行 ;

钱磊 .

中国专利 :CN106784346B ,2017-05-31

[9]

空穴传输材料、QLED器件及其制备方法 [P].

吴劲衡 ;

吴龙佳 ;

何斯纳 .

中国专利 :CN109935732B ,2019-06-25

[10]

QLED器件及其制备方法 [P].

杨紫琰 ;

龙能文 ;

管子豪 .

中国专利 :CN113851593A ,2021-12-28

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