一种倒置QLED器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911119709.2

申请日：

2019-11-15

公开(公告)号：

CN110828684B

公开(公告)日：

2020-02-21

发明(设计)人：

陈梓卢瑶陈静蒋金龙李进陈小芳周素琴

申请人：

申请人地址：

223003 江苏省淮安市经济技术开发区枚乘东路1号

IPC主分类号：

H01L5150

IPC分类号：

H01L5154 H01L5156

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：

成立珍

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-23	授权	授权
2020-02-21	公开	公开
2020-03-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/50 申请日:20191115

共 50 条

[1]

QLED器件及其制备方法 [P].

汪鹏生 ;

龚克 .

中国专利 :CN115440911A ,2022-12-06

[2]

QLED器件及其制备方法 [P].

陈亚文 ;

宋晶尧 ;

付东 .

中国专利 :CN108346749A ,2018-07-31

[3]

QLED器件及其制备方法 [P].

王宇 ;

曹蔚然 ;

李龙基 .

中国专利 :CN108878663A ,2018-11-23

[4]

QLED器件及其制备方法 [P].

刘佳 .

中国专利 :CN106784202A ,2017-05-31

[5]

QLED器件及其制备方法 [P].

王宇 ;

曹蔚然 ;

杨一行 ;

钱磊 .

中国专利 :CN106784191B ,2017-05-31

[6]

倒置QLED器件的制备方法 [P].

张育楠 .

中国专利 :CN109755417A ,2019-05-14

[7]

一种PEIE介入标准倒置QLED器件及其制备方法 [P].

杜祖亮 ;

王书杰 ;

张梦华 ;

王啊强 ;

方岩 .

中国专利 :CN111816794B ,2020-10-23

[8]

一种基于双层空穴注入层的正型QLED器件及其制备方法 [P].

杜祖亮 ;

杜佳佳 ;

蒋晓红 ;

王啊强 ;

王帅冰 .

中国专利 :CN113594382A ,2021-11-02

[9]

一种混合空穴注入层QLED器件及其制备方法 [P].

杜祖亮 ;

蒋晓红 ;

刘果 ;

王啊强 .

中国专利 :CN110729406B ,2020-01-24

[10]

一种QLED器件及其制备方法 [P].

王宇 ;

曹蔚然 ;

李龙基 .

中国专利 :CN109962133B ,2019-07-02

← 1 2 3 4 5 →