一种基于双层空穴注入层的正型QLED器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110219357.9

申请日：

2021-02-26

公开(公告)号：

CN113594382A

公开(公告)日：

2021-11-02

发明(设计)人：

杜祖亮杜佳佳蒋晓红王啊强王帅冰

申请人：

申请人地址：

475001 河南省开封市明伦街85号

IPC主分类号：

H01L5150

IPC分类号：

H01L5154 H01L5156

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

瞿晓晶

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/50 申请日:20210226
2021-11-02	公开	公开

共 50 条

[1]

一种混合空穴注入层QLED器件及其制备方法 [P].

杜祖亮 ;

蒋晓红 ;

刘果 ;

王啊强 .

中国专利 :CN110729406B ,2020-01-24

[2]

一种基于MoOx空穴注入层的QLED器件及其制备方法 [P].

杜祖亮 ;

蒋晓红 ;

王安珍 .

中国专利 :CN111697150A ,2020-09-22

[3]

一种基于钛掺杂五氧化二钒空穴注入层的正型QLED器件 [P].

杜祖亮 ;

蒋晓红 ;

马玉婷 ;

田雨 .

中国专利 :CN110729405B ,2020-01-24

[4]

一种正型QLED器件及其制备方法 [P].

杜祖亮 ;

褚晓甜 ;

蒋晓红 ;

刘源义 .

中国专利 :CN113809256A ,2021-12-17

[5]

一种基于AZO电极的正型QLED器件及其制备方法 [P].

杜祖亮 ;

刘果 ;

蒋晓红 ;

王啊强 .

中国专利 :CN110311058B ,2019-10-08

[6]

一种空穴注入层的制作方法、空穴注入层及QLED器件 [P].

肖标 ;

付东 ;

谢相伟 ;

高卓 .

中国专利 :CN105140394A ,2015-12-09

[7]

QLED空穴注入层的制备方法、QLED及其制备方法 [P].

王宇 ;

曹蔚然 ;

杨一行 ;

钱磊 .

中国专利 :CN106252522A ,2016-12-21

[8]

一种基于新型空穴注入层的低阈值启亮QLED器件及制备方法 [P].

赵谡玲 ;

王玉静 ;

赵泽邦 ;

乔泊 ;

宋丹丹 ;

徐征 ;

梁志琴 .

中国专利 :CN119212432A ,2024-12-27

[9]

一种倒置QLED器件及其制备方法 [P].

陈梓 ;

卢瑶 ;

陈静 ;

蒋金龙 ;

李进 ;

陈小芳 ;

周素琴 .

中国专利 :CN110828684B ,2020-02-21

[10]

一种具有自组装电子传输层的QLED器件及其制备方法 [P].

肖标 ;

付东 ;

谢相伟 .

中国专利 :CN105161635A ,2015-12-16

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