一种基于钛掺杂五氧化二钒空穴注入层的正型QLED器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910891476.1

申请日：

2019-09-20

公开(公告)号：

CN110729405B

公开(公告)日：

2020-01-24

发明(设计)人：

杜祖亮蒋晓红马玉婷田雨

申请人：

申请人地址：

475001 河南省开封市明伦街85号

IPC主分类号：

H01L5150

IPC分类号：

H01L5156

代理机构：

郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104

代理人：

付艳丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/50 申请日:20190920
2020-11-17	授权	授权
2020-01-24	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于双层空穴注入层的正型QLED器件及其制备方法 [P].

杜祖亮 ;

杜佳佳 ;

蒋晓红 ;

王啊强 ;

王帅冰 .

中国专利 :CN113594382A ,2021-11-02

[2]

一种基于MoOx空穴注入层的QLED器件及其制备方法 [P].

杜祖亮 ;

蒋晓红 ;

王安珍 .

中国专利 :CN111697150A ,2020-09-22

[3]

一种混合空穴注入层QLED器件及其制备方法 [P].

杜祖亮 ;

蒋晓红 ;

刘果 ;

王啊强 .

中国专利 :CN110729406B ,2020-01-24

[4]

一种空穴注入层的制作方法、空穴注入层及QLED器件 [P].

肖标 ;

付东 ;

谢相伟 ;

高卓 .

中国专利 :CN105140394A ,2015-12-09

[5]

一种基于钒掺杂氧化钼的QLED器件及其制备方法 [P].

杜祖亮 ;

蒋晓红 ;

王安珍 ;

王啊强 .

中国专利 :CN111740025A ,2020-10-02

[6]

一种基于AZO电极的正型QLED器件及其制备方法 [P].

杜祖亮 ;

刘果 ;

蒋晓红 ;

王啊强 .

中国专利 :CN110311058B ,2019-10-08

[7]

一种基于新型空穴注入层的低阈值启亮QLED器件及制备方法 [P].

赵谡玲 ;

王玉静 ;

赵泽邦 ;

乔泊 ;

宋丹丹 ;

徐征 ;

梁志琴 .

中国专利 :CN119212432A ,2024-12-27

[8]

一种多通道空穴传输层、电学器件与QLED器件 [P].

梁柱荣 ;

曹蔚然 ;

刘佳 .

中国专利 :CN109390477A ,2019-02-26

[9]

一种基于氧化物空穴注入层的钙钛矿发光二极管及其制备方法 [P].

周远明 ;

冯俊杰 ;

梅思炯 ;

梅菲 ;

孙东伟 ;

刘能 ;

王豪杰 ;

张珂 .

中国专利 :CN111883693A ,2020-11-03

[10]

一种正型QLED器件及其制备方法 [P].

杜祖亮 ;

褚晓甜 ;

蒋晓红 ;

刘源义 .

中国专利 :CN113809256A ,2021-12-17

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