一种基于MoOx空穴注入层的QLED器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010801996.1

申请日：

2020-08-11

公开(公告)号：

CN111697150A

公开(公告)日：

2020-09-22

发明(设计)人：

杜祖亮蒋晓红王安珍

申请人：

申请人地址：

475001 河南省开封市明伦街85号

IPC主分类号：

H01L5150

IPC分类号：

H01L5154 H01L5100 H01L5156

代理机构：

郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104

代理人：

张丽

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-16	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 51/50 申请公布日:20200922
2020-10-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/50 申请日:20200811
2020-09-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种混合空穴注入层QLED器件及其制备方法 [P].

杜祖亮 ;

蒋晓红 ;

刘果 ;

王啊强 .

中国专利 :CN110729406B ,2020-01-24

[2]

一种基于双层空穴注入层的正型QLED器件及其制备方法 [P].

杜祖亮 ;

杜佳佳 ;

蒋晓红 ;

王啊强 ;

王帅冰 .

中国专利 :CN113594382A ,2021-11-02

[3]

一种空穴注入层的制作方法、空穴注入层及QLED器件 [P].

肖标 ;

付东 ;

谢相伟 ;

高卓 .

中国专利 :CN105140394A ,2015-12-09

[4]

QLED空穴注入层的制备方法、QLED及其制备方法 [P].

王宇 ;

曹蔚然 ;

杨一行 ;

钱磊 .

中国专利 :CN106252522A ,2016-12-21

[5]

一种基于钛掺杂五氧化二钒空穴注入层的正型QLED器件 [P].

杜祖亮 ;

蒋晓红 ;

马玉婷 ;

田雨 .

中国专利 :CN110729405B ,2020-01-24

[6]

空穴注入材料及其制备方法和QLED器件 [P].

何斯纳 ;

吴龙佳 ;

吴劲衡 .

中国专利 :CN109935705B ,2019-06-25

[7]

一种基于新型空穴注入层的低阈值启亮QLED器件及制备方法 [P].

赵谡玲 ;

王玉静 ;

赵泽邦 ;

乔泊 ;

宋丹丹 ;

徐征 ;

梁志琴 .

中国专利 :CN119212432A ,2024-12-27

[8]

一种利用纳米介质球调控空穴层的QLED器件及其制备方法 [P].

杜祖亮 ;

马海光 ;

伍哲宇 ;

胡彬彬 .

中国专利 :CN115332468A ,2022-11-11

[9]

一种倒置QLED器件及其制备方法 [P].

陈梓 ;

卢瑶 ;

陈静 ;

蒋金龙 ;

李进 ;

陈小芳 ;

周素琴 .

中国专利 :CN110828684B ,2020-02-21

[10]

QLED器件及其制备方法 [P].

陈亚文 ;

宋晶尧 ;

付东 .

中国专利 :CN108346749A ,2018-07-31

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