空穴注入材料及其制备方法和QLED器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711349350.9

申请日：

2017-12-15

公开(公告)号：

CN109935705B

公开(公告)日：

2019-06-25

发明(设计)人：

何斯纳吴龙佳吴劲衡

申请人：

申请人地址：

516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

IPC主分类号：

H01L5150

IPC分类号：

H01L5154 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414

代理人：

李艳丽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-04	授权	授权
2020-08-28	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 51/50 变更事项:申请人变更前:TCL集团股份有限公司变更后:TCL科技集团股份有限公司变更事项:地址变更前:516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区变更后:516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
2019-07-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/50 申请日:20171215
2019-06-25	公开	公开

共 50 条

[1]

空穴传输材料、QLED器件及其制备方法 [P].

吴劲衡 ;

吴龙佳 ;

何斯纳 .

中国专利 :CN109935732B ,2019-06-25

[2]

发光材料及其制备方法和QLED器件 [P].

李泽伟 ;

曹蔚然 .

中国专利 :CN109980100B ,2019-07-05

[3]

发光材料及其制备方法和QLED器件 [P].

钱磊 ;

杨一行 ;

曹蔚然 ;

向超宇 ;

陈崧 .

中国专利 :CN109980102A ,2019-07-05

[4]

电子传输材料及其制备方法和QLED器件 [P].

吴龙佳 .

中国专利 :CN109980106A ,2019-07-05

[5]

载流子传输材料及其制备方法和QLED器件 [P].

李泽伟 ;

曹蔚然 .

中国专利 :CN109980099B ,2019-07-05

[6]

一种混合空穴注入层QLED器件及其制备方法 [P].

杜祖亮 ;

蒋晓红 ;

刘果 ;

王啊强 .

中国专利 :CN110729406B ,2020-01-24

[7]

一种基于MoOx空穴注入层的QLED器件及其制备方法 [P].

杜祖亮 ;

蒋晓红 ;

王安珍 .

中国专利 :CN111697150A ,2020-09-22

[8]

空穴注入材料及其应用 [P].

范洪涛 ;

王湘成 ;

向传义 ;

何为 .

中国专利 :CN111653680A ,2020-09-11

[9]

QLED器件、空穴传输材料及其制作方法、显示装置 [P].

冯靖雯 .

中国专利 :CN113130796B ,2021-07-16

[10]

QLED器件及其制备方法 [P].

杨紫琰 ;

龙能文 ;

管子豪 .

中国专利 :CN113851593A ,2021-12-28

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