一种基于AZO电极的正型QLED器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910486479.7

申请日：

2019-06-05

公开(公告)号：

CN110311058B

公开(公告)日：

2019-10-08

发明(设计)人：

杜祖亮刘果蒋晓红王啊强

申请人：

申请人地址：

475001 河南省开封市明伦街85号

IPC主分类号：

H01L5156

IPC分类号：

H01L5152 H01L5150

代理机构：

郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104

代理人：

时立新

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-08	公开	公开
2019-11-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/56 申请日:20190605
2021-01-22	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于双层空穴注入层的正型QLED器件及其制备方法 [P].

杜祖亮 ;

杜佳佳 ;

蒋晓红 ;

王啊强 ;

王帅冰 .

中国专利 :CN113594382A ,2021-11-02

[2]

一种混合空穴注入层QLED器件及其制备方法 [P].

杜祖亮 ;

蒋晓红 ;

刘果 ;

王啊强 .

中国专利 :CN110729406B ,2020-01-24

[3]

一种正型QLED器件及其制备方法 [P].

杜祖亮 ;

褚晓甜 ;

蒋晓红 ;

刘源义 .

中国专利 :CN113809256A ,2021-12-17

[4]

正型QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

杨一行 ;

向超宇 ;

钱磊 ;

梁柱荣 .

中国专利 :CN109935661A ,2019-06-25

[5]

正型QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

杨一行 ;

向超宇 ;

钱磊 ;

梁柱荣 .

中国专利 :CN109935739A ,2019-06-25

[6]

一种基于MoOx空穴注入层的QLED器件及其制备方法 [P].

杜祖亮 ;

蒋晓红 ;

王安珍 .

中国专利 :CN111697150A ,2020-09-22

[7]

一种倒置QLED器件及其制备方法 [P].

陈梓 ;

卢瑶 ;

陈静 ;

蒋金龙 ;

李进 ;

陈小芳 ;

周素琴 .

中国专利 :CN110828684B ,2020-02-21

[8]

正型QLED器件及制备方法 [P].

曹蔚然 ;

梁柱荣 ;

杨一行 ;

向超宇 ;

钱磊 .

中国专利 :CN109935716A ,2019-06-25

[9]

一种基于钛掺杂五氧化二钒空穴注入层的正型QLED器件 [P].

杜祖亮 ;

蒋晓红 ;

马玉婷 ;

田雨 .

中国专利 :CN110729405B ,2020-01-24

[10]

QLED器件及其制备方法 [P].

陈亚文 ;

宋晶尧 ;

付东 .

中国专利 :CN108346749A ,2018-07-31

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