QLED器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611226239.6

申请日：

2016-12-27

公开(公告)号：

CN106784191B

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

王宇曹蔚然杨一行钱磊

申请人：

申请人地址：

516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306 H01L3328

代理机构：

深圳中一专利商标事务所 44237

代理人：

黄志云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-31	公开	公开
2018-01-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20161227
2019-12-13	授权	授权

共 50 条

[1]

QLED器件及其制备方法 [P].

汪鹏生 ;

龚克 .

中国专利 :CN115440911A ,2022-12-06

[2]

QLED器件及其制备方法 [P].

王宇 ;

曹蔚然 ;

李龙基 .

中国专利 :CN108878663A ,2018-11-23

[3]

QLED器件及其制备方法 [P].

刘佳 .

中国专利 :CN106784202A ,2017-05-31

[4]

QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

梁柱荣 ;

刘佳 .

中国专利 :CN109244252B ,2019-01-18

[5]

QLED器件及其制备方法 [P].

刘佳 .

中国专利 :CN106410052A ,2017-02-15

[6]

QLED器件及其制备方法 [P].

陈亚文 ;

宋晶尧 ;

付东 .

中国专利 :CN108346749A ,2018-07-31

[7]

QLED器件及其制备方法 [P].

李龙基 ;

曹蔚然 .

中国专利 :CN109427933B ,2019-03-05

[8]

QLED器件及其制备方法 [P].

朱佩 ;

曹蔚然 .

中国专利 :CN109935712A ,2019-06-25

[9]

串联多层QLED器件及其制备方法 [P].

刘佳 ;

曹蔚然 .

中国专利 :CN108807702B ,2018-11-13

[10]

顶发射QLED器件及其制备方法 [P].

张滔 ;

向超宇 ;

李乐 ;

辛征航 ;

张东华 .

中国专利 :CN106328824B ,2017-01-11

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