QLED器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710561444.6

申请日：

2017-07-11

公开(公告)号：

CN109244252B

公开(公告)日：

2019-01-18

发明(设计)人：

曹蔚然梁柱荣刘佳

申请人：

申请人地址：

516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

IPC主分类号：

H01L5150

IPC分类号：

H01L5156

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414

代理人：

李艳丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/50 申请日:20170711
2019-01-18	公开	公开
2020-11-10	授权	授权
2020-10-30	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 51/50 变更事项:申请人变更前:TCL集团股份有限公司变更后:TCL科技集团股份有限公司变更事项:地址变更前:516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区变更后:516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

共 50 条

[1]

QLED器件及其制备方法 [P].

刘佳 .

中国专利 :CN106410052A ,2017-02-15

[2]

QLED器件及其制备方法 [P].

汪鹏生 ;

龚克 .

中国专利 :CN115440911A ,2022-12-06

[3]

QLED器件及其制备方法 [P].

王宇 ;

曹蔚然 ;

李龙基 .

中国专利 :CN108878663A ,2018-11-23

[4]

QLED器件及其制备方法 [P].

陈亚文 ;

宋晶尧 ;

付东 .

中国专利 :CN108346749A ,2018-07-31

[5]

QLED器件及其制备方法 [P].

刘佳 .

中国专利 :CN106784202A ,2017-05-31

[6]

QLED器件及其制备方法 [P].

王宇 ;

曹蔚然 ;

杨一行 ;

钱磊 .

中国专利 :CN106784191B ,2017-05-31

[7]

反型QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

杨一行 ;

向超宇 ;

钱磊 ;

梁柱荣 .

中国专利 :CN109935710A ,2019-06-25

[8]

正型QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

杨一行 ;

向超宇 ;

钱磊 ;

梁柱荣 .

中国专利 :CN109935739A ,2019-06-25

[9]

反型QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

梁柱荣 ;

杨一行 ;

向超宇 ;

钱磊 .

中国专利 :CN109935721A ,2019-06-25

[10]

一种QLED器件及其制备方法 [P].

梁柱荣 ;

曹蔚然 ;

刘佳 .

中国专利 :CN109326727A ,2019-02-12

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