反型QLED器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711354864.3

申请日：

2017-12-15

公开(公告)号：

CN109935721A

公开(公告)日：

2019-06-25

发明(设计)人：

曹蔚然梁柱荣杨一行向超宇钱磊

申请人：

申请人地址：

516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区

IPC主分类号：

H01L5150

IPC分类号：

H01L5156

代理机构：

深圳中一专利商标事务所 44237

代理人：

黄志云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-25	公开	公开
2019-07-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/50 申请日:20171215
2021-11-26	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 51/50 申请公布日:20190625

共 50 条

[1]

反型QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

杨一行 ;

向超宇 ;

钱磊 ;

梁柱荣 .

中国专利 :CN109935710A ,2019-06-25

[2]

正型QLED器件及制备方法 [P].

曹蔚然 ;

梁柱荣 ;

杨一行 ;

向超宇 ;

钱磊 .

中国专利 :CN109935716A ,2019-06-25

[3]

反型QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

杨一行 ;

向超宇 ;

钱磊 ;

梁柱荣 .

中国专利 :CN109935715B ,2019-06-25

[4]

正型QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

杨一行 ;

向超宇 ;

钱磊 ;

梁柱荣 .

中国专利 :CN109935739A ,2019-06-25

[5]

QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

梁柱荣 ;

刘佳 .

中国专利 :CN109244252B ,2019-01-18

[6]

正型QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

杨一行 ;

向超宇 ;

钱磊 ;

梁柱荣 .

中国专利 :CN109935661A ,2019-06-25

[7]

量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

杨一行 ;

向超宇 ;

钱磊 ;

梁柱荣 .

中国专利 :CN109935709A ,2019-06-25

[8]

量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

梁柱荣 ;

杨一行 ;

向超宇 ;

钱磊 .

中国专利 :CN109935737A ,2019-06-25

[9]

量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

杨一行 ;

向超宇 ;

钱磊 ;

梁柱荣 .

中国专利 :CN109935665B ,2019-06-25

[10]

量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

杨一行 ;

向超宇 ;

钱磊 ;

梁柱荣 .

中国专利 :CN109935736A ,2019-06-25

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