顶发射QLED器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611061585.3

申请日：

2016-11-24

公开(公告)号：

CN106328824B

公开(公告)日：

2017-01-11

发明(设计)人：

张滔向超宇李乐辛征航张东华

申请人：

申请人地址：

516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区

IPC主分类号：

H01L5150

IPC分类号：

H01L5154 H01L5156

代理机构：

深圳中一专利商标事务所 44237

代理人：

黄志云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-11	公开	公开
2018-01-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/50 申请日:20161124
2019-05-24	授权	授权

共 50 条

[1]

QLED器件及其制备方法 [P].

汪鹏生 ;

龚克 .

中国专利 :CN115440911A ,2022-12-06

[2]

QLED器件及其制备方法 [P].

王宇 ;

曹蔚然 ;

李龙基 .

中国专利 :CN108878663A ,2018-11-23

[3]

QLED器件及其制备方法 [P].

刘佳 .

中国专利 :CN106784202A ,2017-05-31

[4]

一种正置顶发射QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

杨一行 ;

刘政 ;

钱磊 .

中国专利 :CN108269929B ,2018-07-10

[5]

一种反置顶发射QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

杨一行 ;

刘政 ;

钱磊 .

中国专利 :CN108269927A ,2018-07-10

[6]

QLED器件及其制备方法 [P].

陈亚文 ;

宋晶尧 ;

付东 .

中国专利 :CN108346749A ,2018-07-31

[7]

QLED器件及其制备方法 [P].

王宇 ;

曹蔚然 ;

杨一行 ;

钱磊 .

中国专利 :CN106784191B ,2017-05-31

[8]

一种反置底发射QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

杨一行 ;

刘政 ;

钱磊 .

中国专利 :CN108269933A ,2018-07-10

[9]

一种正置底发射QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

杨一行 ;

刘政 ;

钱磊 .

中国专利 :CN108269928A ,2018-07-10

[10]

QLED器件及其制备方法 [P].

杨紫琰 ;

龙能文 ;

管子豪 .

中国专利 :CN113851593A ,2021-12-28

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