一种正置底发射QLED器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611256947.4

申请日：

2016-12-30

公开(公告)号：

CN108269928A

公开(公告)日：

2018-07-10

发明(设计)人：

曹蔚然杨一行刘政钱磊

申请人：

申请人地址：

516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区

IPC主分类号：

H01L5150

IPC分类号：

H01L5154 H01L5156 B82Y3000

代理机构：

深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268

代理人：

王永文;刘文求

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/50 申请日:20161230
2018-07-10	公开	公开
2022-04-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 51/50 申请公布日:20180710

共 50 条

[1]

一种反置底发射QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

杨一行 ;

刘政 ;

钱磊 .

中国专利 :CN108269933A ,2018-07-10

[2]

一种正置顶发射QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

杨一行 ;

刘政 ;

钱磊 .

中国专利 :CN108269929B ,2018-07-10

[3]

一种反置顶发射QLED器件及其制备方法 [P].

曹蔚然 ;

杨一行 ;

刘政 ;

钱磊 .

中国专利 :CN108269927A ,2018-07-10

[4]

顶发射QLED器件及其制备方法 [P].

张滔 ;

向超宇 ;

李乐 ;

辛征航 ;

张东华 .

中国专利 :CN106328824B ,2017-01-11

[5]

一种正型QLED器件及其制备方法 [P].

杜祖亮 ;

褚晓甜 ;

蒋晓红 ;

刘源义 .

中国专利 :CN113809256A ,2021-12-17

[6]

一种图案化正置QLED器件 [P].

景宇宇 ;

姚明宇 ;

钟海政 .

中国专利 :CN222073789U ,2024-11-26

[7]

QLED器件及其制备方法 [P].

汪鹏生 ;

龚克 .

中国专利 :CN115440911A ,2022-12-06

[8]

QLED器件及其制备方法 [P].

王宇 ;

曹蔚然 ;

李龙基 .

中国专利 :CN108878663A ,2018-11-23

[9]

QLED器件及其制备方法 [P].

刘佳 .

中国专利 :CN106784202A ,2017-05-31

[10]

QLED器件及其制备方法 [P].

王宇 ;

曹蔚然 ;

杨一行 ;

钱磊 .

中国专利 :CN106784191B ,2017-05-31

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