高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510074787.7

申请日：

2005-06-03

公开(公告)号：

CN1873929A

公开(公告)日：

2006-12-06

发明(设计)人：

李文芳徐尉伦林育贤

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L218234 H01L2978

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-01-31	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-12-06	公开	公开
2008-09-03	授权	授权

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法 [P].

许修文 .

中国专利 :CN101521227A ,2009-09-02

[2]

高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法 [P].

萧世楹 ;

张凯焜 .

中国专利 :CN106531794A ,2017-03-22

[3]

高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法 [P].

林建民 ;

董明宗 ;

刘景宏 .

中国专利 :CN100423212C ,2006-12-06

[4]

金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管 [P].

王升平 ;

黄宗义 ;

王文亮 .

中国专利 :CN101262010B ,2008-09-10

[5]

高压金属氧化物半导体晶体管元件 [P].

李秋德 ;

林克峰 ;

张志谦 ;

陈威霖 ;

王智充 .

中国专利 :CN103633139A ,2014-03-12

[6]

高压金属氧化物半导体晶体管元件 [P].

萧世楹 ;

陈宣凯 ;

郑敦仁 .

中国专利 :CN108389906B ,2018-08-10

[7]

高压金属氧化物半导体晶体管 [P].

许世明 ;

黄志仁 ;

郑敦仁 ;

苏潮源 .

中国专利 :CN101364611A ,2009-02-11

[8]

高压金属氧化物半导体晶体管元件以及其制造方法 [P].

萧世楹 ;

游焜煌 .

中国专利 :CN106298923A ,2017-01-04

[9]

超高压金属氧化物半导体晶体管元件 [P].

高境鸿 .

中国专利 :CN100428492C ,2007-03-28

[10]

高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

萧世楹 ;

游焜煌 ;

李文芳 ;

林淑雯 ;

陈冠全 .

中国专利 :CN104979390A ,2015-10-14

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