金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810081285.0

申请日：

2008-02-26

公开(公告)号：

CN101521227A

公开(公告)日：

2009-09-02

发明(设计)人：

许修文

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L2908 H01L21336

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

彭久云

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-04-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101079709714 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2008100812850 公开日:20090902
2009-10-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-09-02	公开	公开

共 50 条

[1]

高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法 [P].

李文芳 ;

徐尉伦 ;

林育贤 .

中国专利 :CN1873929A ,2006-12-06

[2]

金属氧化物半导体晶体管元件 [P].

林焕顺 ;

蔡振华 ;

萧维沧 ;

孟宪樑 ;

施泓林 .

中国专利 :CN1953208A ,2007-04-25

[3]

金属氧化物半导体晶体管元件 [P].

施泓林 ;

江日舜 ;

孟宪樑 .

中国专利 :CN201004461Y ,2008-01-09

[4]

高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法 [P].

萧世楹 ;

张凯焜 .

中国专利 :CN106531794A ,2017-03-22

[5]

高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法 [P].

林建民 ;

董明宗 ;

刘景宏 .

中国专利 :CN100423212C ,2006-12-06

[6]

金属氧化物半导体晶体管元件的制造方法 [P].

叶芳裕 ;

董明圣 ;

李岳川 ;

林骐 .

中国专利 :CN1670928A ,2005-09-21

[7]

高压金属氧化物半导体晶体管元件以及其制造方法 [P].

萧世楹 ;

游焜煌 .

中国专利 :CN106298923A ,2017-01-04

[8]

高压金属氧化物半导体晶体管元件 [P].

李秋德 ;

林克峰 ;

张志谦 ;

陈威霖 ;

王智充 .

中国专利 :CN103633139A ,2014-03-12

[9]

高压金属氧化物半导体晶体管元件 [P].

萧世楹 ;

陈宣凯 ;

郑敦仁 .

中国专利 :CN108389906B ,2018-08-10

[10]

功率金属氧化物半导体晶体管元件 [P].

汤铭 ;

焦世平 .

中国专利 :CN103928505B ,2014-07-16

← 1 2 3 4 5 →