金属氧化物半导体晶体管元件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200620121379.2

申请日：

2006-07-31

公开(公告)号：

CN201004461Y

公开(公告)日：

2008-01-09

发明(设计)人：

施泓林江日舜孟宪樑

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2704

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-24	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101676316618 IPC(主分类):H01L 27/04 专利号:ZL2006201213792 申请日:20060731 授权公告日:20080109 终止日期:无
2008-01-09	授权	授权

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体晶体管元件 [P].

林焕顺 ;

蔡振华 ;

萧维沧 ;

孟宪樑 ;

施泓林 .

中国专利 :CN1953208A ,2007-04-25

[2]

高压金属氧化物半导体晶体管元件 [P].

李秋德 ;

林克峰 ;

张志谦 ;

陈威霖 ;

王智充 .

中国专利 :CN103633139A ,2014-03-12

[3]

高压金属氧化物半导体晶体管元件 [P].

萧世楹 ;

陈宣凯 ;

郑敦仁 .

中国专利 :CN108389906B ,2018-08-10

[4]

功率金属氧化物半导体晶体管元件 [P].

汤铭 ;

焦世平 .

中国专利 :CN103928505B ,2014-07-16

[5]

金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管 [P].

王升平 ;

黄宗义 ;

王文亮 .

中国专利 :CN101262010B ,2008-09-10

[6]

金属氧化物半导体晶体管 [P].

蔡娟娟 ;

冉晓雯 ;

孟心飞 ;

叶隽正 .

中国专利 :CN102820339A ,2012-12-12

[7]

金属氧化物半导体晶体管 [P].

田威廉 ;

曾昭玮 ;

陈富信 .

中国专利 :CN101572270A ,2009-11-04

[8]

金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法与改善方法 [P].

施泓林 ;

江日舜 ;

孟宪樑 .

中国专利 :CN101118925A ,2008-02-06

[9]

氮化镓金属氧化物半导体晶体管 [P].

赵成 ;

孙越 ;

韩亚 ;

王思元 ;

王毅 .

中国专利 :CN213660417U ,2021-07-09

[10]

金属氧化物半导体晶体管结构 [P].

李名镇 ;

郑道 ;

杨明宗 .

中国专利 :CN101771078A ,2010-07-07

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