功率金属氧化物半导体晶体管元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310577870.0

申请日：

2013-11-14

公开(公告)号：

CN103928505B

公开(公告)日：

2014-07-16

发明(设计)人：

汤铭焦世平

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L23522

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

赵根喜;李昕巍

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584396747 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2013105778700 申请日:20131114
2017-04-12	授权	授权
2014-07-16	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体晶体管元件 [P].

林焕顺 ;

蔡振华 ;

萧维沧 ;

孟宪樑 ;

施泓林 .

中国专利 :CN1953208A ,2007-04-25

[2]

金属氧化物半导体晶体管元件 [P].

施泓林 ;

江日舜 ;

孟宪樑 .

中国专利 :CN201004461Y ,2008-01-09

[3]

功率金属氧化物半导体晶体管元件与布局 [P].

李信明 ;

张志恒 .

中国专利 :CN101510559B ,2009-08-19

[4]

高压金属氧化物半导体晶体管元件 [P].

李秋德 ;

林克峰 ;

张志谦 ;

陈威霖 ;

王智充 .

中国专利 :CN103633139A ,2014-03-12

[5]

高压金属氧化物半导体晶体管元件 [P].

萧世楹 ;

陈宣凯 ;

郑敦仁 .

中国专利 :CN108389906B ,2018-08-10

[6]

金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管 [P].

王升平 ;

黄宗义 ;

王文亮 .

中国专利 :CN101262010B ,2008-09-10

[7]

金属氧化物半导体晶体管 [P].

蔡娟娟 ;

冉晓雯 ;

孟心飞 ;

叶隽正 .

中国专利 :CN102820339A ,2012-12-12

[8]

金属氧化物半导体晶体管 [P].

田威廉 ;

曾昭玮 ;

陈富信 .

中国专利 :CN101572270A ,2009-11-04

[9]

一种功率金属氧化物半导体晶体管元件 [P].

许一力 .

中国专利 :CN118522766A ,2024-08-20

[10]

功率金属氧化物半导体晶体管的配置 [P].

迈可·查瑞森 ;

尼斯·阿福·肯斯坦 ;

真·乔汉森 .

中国专利 :CN1441966A ,2003-09-10

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