一种快速烧结多孔陶瓷的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110766610.2

申请日：

2021-07-07

公开(公告)号：

CN113307633B

公开(公告)日：

2021-08-27

发明(设计)人：

王成杨建荣王子超

申请人：

申请人地址：

311106 浙江省杭州市余杭区运溪路176号5号厂房1号门

IPC主分类号：

C04B35622

IPC分类号：

C04B3564 C04B35638 C04B35565 C04B3510 C04B3548 C04B35563 C04B35584 C04B3552 C04B35634 C04B35632 C04B3563 C04B3800

代理机构：

杭州华知专利事务所(普通合伙) 33235

代理人：

张德宝

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

一种大颗粒多孔陶瓷及其制备方法 [P].

王成 ;

杨建荣 ;

王子超 .

中国专利 :CN113248259A ,2021-08-13

[2]

多孔陶瓷的快速制备工艺 [P].

成贵华 ;

李洁峰 .

中国专利 :CN107488024A ,2017-12-19

[3]

一种多孔陶瓷的制备方法 [P].

徐庆富 .

中国专利 :CN107721458A ,2018-02-23

[4]

一种低温烧结制备多孔陶瓷的方法 [P].

袁方利 ;

孙志强 .

中国专利 :CN105906365A ,2016-08-31

[5]

一种SiOC多孔陶瓷的制备方法 [P].

马青松 ;

田浩 ;

段力群 ;

徐天恒 ;

刘海韬 .

中国专利 :CN102311275B ,2012-01-11

[6]

一种多孔陶瓷的制备方法 [P].

江国健 ;

涂添哲 .

中国专利 :CN107500781A ,2017-12-22

[7]

一种多孔陶瓷的制备方法 [P].

关雷 ;

蔡承宇 ;

张学斌 .

中国专利 :CN111410550A ,2020-07-14

[8]

一种多孔陶瓷的制备方法 [P].

刘宗蒲 .

中国专利 :CN102643111B ,2012-08-22

[9]

一种无压烧结碳化硅多孔陶瓷的制备方法 [P].

任意 ;

朱淼华 ;

唐竹兴 ;

刘福田 .

中国专利 :CN119912263A ,2025-05-02

[10]

低温烧结多孔陶瓷及其制备方法 [P].

李江荣 ;

黄昆明 ;

李新 .

中国专利 :CN121159230A ,2025-12-19

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/622 申请日:20210707
2022-11-22	授权	授权
2021-08-27	公开	公开