氮化物半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202180004439.X

申请日：

2021-03-05

公开(公告)号：

CN114175236A

公开(公告)日：

2022-03-11

发明(设计)人：

曹凯张雷朱益峰黄敬源周春华

申请人：

申请人地址：

215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号

IPC主分类号：

H01L23488

IPC分类号：

H01L2331 H01L2906 H01L29778 H01L2150 H01L2156 H01L2160

代理机构：

深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588

代理人：

王琴;曹玉存

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/488 申请日:20210305
2022-03-11	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物半导体，半导体器件及其制造方法 [P].

后藤修 ;

浅野竹春 ;

竹谷元伸 ;

簗克典 ;

池田真朗 ;

涉谷胜义 ;

铃木康彦 .

中国专利 :CN1296970C ,2003-09-24

[2]

氮化物半导体，半导体器件及其制造方法 [P].

后藤修 ;

浅野竹春 ;

竹谷元伸 ;

簗嵨克典 ;

池田真朗 ;

涉谷胜义 ;

铃木康彦 .

中国专利 :CN1574228A ,2005-02-02

[3]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

山田英司 ;

神川刚 ;

荒木正浩 .

中国专利 :CN102280817A ,2011-12-14

[4]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

山田英司 ;

神川刚 ;

荒木正浩 .

中国专利 :CN101179178A ,2008-05-14

[5]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

徐廷勋 ;

张峻豪 ;

金钟旭 .

中国专利 :CN1700413A ,2005-11-23

[6]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

山田英司 ;

神川刚 ;

荒木正浩 .

中国专利 :CN101540477A ,2009-09-23

[7]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

樊永辉 ;

樊晓兵 ;

许明伟 .

中国专利 :CN119943674A ,2025-05-06

[8]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

笔田麻佑子 ;

驹田聪 .

中国专利 :CN1835189A ,2006-09-20

[9]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

山田英司 ;

神川刚 ;

荒木正浩 .

中国专利 :CN101931164B ,2010-12-29

[10]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

琵琶刚志 ;

奥山浩之 ;

土居正人 ;

大畑丰治 .

中国专利 :CN1241272C ,2004-02-18

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