铌基超导体的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02803033.8

申请日：

2002-01-02

公开(公告)号：

CN100388520C

公开(公告)日：

2004-03-31

发明(设计)人：

J·翁

申请人：

申请人地址：

美国马萨诸塞

IPC主分类号：

H01L3924

IPC分类号：

H01B1200 C23C200

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

蔡胜有

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-18	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 39/24 申请日:20020102 授权公告日:20080514
2008-05-14	授权	授权
2004-06-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-03-31	公开	公开

共 50 条

[1]

超导体和制造该超导体的方法 [P].

崔圭汉 ;

文胜铉 ;

黄淳哲 ;

李宰勋 ;

张彻荣 ;

权雄 .

中国专利 :CN105706187B ,2016-06-22

[2]

超导体的制造方法 [P].

塔依扬·皮昂 .

中国专利 :CN111183494A ,2020-05-19

[3]

制造超导体的方法 [P].

志贺章二 ;

宇野直树 ;

田中靖三 ;

菊地祐行 ;

城山魁助 .

中国专利 :CN1021163C ,1989-03-22

[4]

制造高温超导体的方法 [P].

詹斯·米勒 ;

卡斯滕·比勒 .

中国专利 :CN100376044C ,2003-12-31

[5]

制造电超导体的方法 [P].

阿诺·阿莱斯 ;

德克·艾斯福特 .

中国专利 :CN101183573B ,2008-05-21

[6]

超导体陶瓷的制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN1061866A ,1992-06-10

[7]

超导体及其制造方法 [P].

母仓修司 ;

大松一也 .

中国专利 :CN100472670C ,2006-02-22

[8]

超导体制造方法 [P].

太刀川恭治 ;

真保幸雄 ;

小野守章 ;

小菅茂义 ;

桦泽真事 .

中国专利 :CN1045887A ,1990-10-03

[9]

细长超导体的制造 [P].

T·P·比尔斯 ;

M·M·阿什拉夫 ;

S·F·特斯东 ;

S·马歇尔 .

中国专利 :CN1091545A ,1994-08-31

[10]

高温超导体的制造方法及其制成的超导体成型体 [P].

乔基姆·博克 ;

埃伯哈德·普赖斯勒 .

中国专利 :CN1034247C ,1990-04-04

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